Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. est un fournisseur professionnel de transistors GaN HEMT Infineon en stock, offrant des transistors GaN HEMT de la série CoolGaN™ d'Infineon, neufs et authentiques, en stock. Notre gamme de produits couvre toute la plage de tension de 40V à 850V, y compris la série moyenne tension G3, la série haute tension G5, les commutateurs bidirectionnels (BDS) et les dispositifs de qualité automobile, offrant un support d'approvisionnement complet en dispositifs d'alimentation GaN pour les clients dans les domaines de la charge rapide, des centres de données, des onduleurs photovoltaïques, des véhicules à énergie nouvelle et des alimentations industrielles.
I. Séries de produits GaN HEMT Infineon principales fournies par Mingjiada
Infineon’s CoolGaN™ est l'un des rares portefeuilles de produits GaN HEMT de l'industrie qui couvre à la fois les applications moyenne/basse tension et haute tension tout en offrant des options de qualité automobile. Mingjiada maintient en stock les séries suivantes et prend en charge les demandes d'échantillons en petits lots ainsi que les livraisons en production de masse.
1. Série CoolGaN™ G5 Haute Tension (650V/700V)
Basée sur la technologie Gate Injection Transistor (GIT), la série G5 est conçue pour les applications haute tension dans les secteurs industriels et des nouvelles énergies. Elle offre une amélioration de l'efficacité de 3% à 5% par rapport aux solutions traditionnelles à base de silicium et prend en charge la commutation à haute fréquence au niveau du MHz. Selon les données officielles d'Infineon, les produits G5 650V présentent des résistances à l'état passant allant de 25 mΩ à 140 mΩ et un courant de drain continu maximal allant jusqu'à 70 A. Les options de boîtier incluent TOLL, TOLT, DSO TSC, DFN 8×8 et ThinPAK 5×6.
Mingjiada maintient les modèles G5 représentatifs suivants en stock :
Modèle Boîtier Paramètres Clés
IGT65R025D2 TOLL 650V / 70A / 25mΩ
IGT65R035D2 TOLL 650V / 49A / 35mΩ
IGT65R045D2 TOLL 650V / 38A / 45mΩ
IGT65R140D2 TOLL 650V / 13A / 140mΩ
IGLD65R055D2 DFN 8×8 650V / 28A / 55mΩ
2. Série CoolGaN™ 600V de qualité industrielle (e-mode HEMT)
Le HEMT GaN e-mode 600V est la ligne de produits à haut volume de Mingjiada pour les alimentations de centres de données, les SMPS de serveurs, les redresseurs de télécommunications et les applications de charge sans fil. Cette série présente une structure améliorée (normalement bloquée) sans charge de recouvrement inverse, un temps de montée aussi bas que 9 ns, un temps de descente de 13 ns et une plage de température de jonction de fonctionnement de -55°C à +150°C.
Les modèles représentatifs de Mingjiada dans la série 600V comprennent :
IGO60R070D1 : 600V / 31A / 70mΩ, boîtier DSO-20, adapté aux topologies en demi-pont à commutation dure et à commutation douce telles que le PFC en totem et le LLC haute fréquence.
IGOT60R070D1 : Boîtier DSO-20 refroidi par le dessus, adapté aux conceptions de gestion thermique à haute densité de puissance.
IGLD60R070D1 : Boîtier LSON-8, conçu pour les adaptateurs compacts et la charge rapide.
IGT60R190D1 : Boîtier HSOF-8, puissance nominale de 190 mΩ, adapté aux alimentations industrielles de moyenne puissance.
IGLR60R340D1 : Puissance nominale de 340 mΩ, adapté aux alimentations auxiliaires sensibles au coût et aux applications de faible puissance.
IGLR60R260D1 : HEMT GaN e-mode 600V, conçu pour la conversion haute fréquence et haute efficacité.
IGI60F1414A1L : Étage de puissance intelligent CoolGaN™ 600V avec pilote de grille intégré, 140 mΩ, boîtier QFN-28 8×8 mm, simplifiant la conception du système et les circuits de protection.
3. Série CoolGaN™ G3 Moyenne Tension (40V–120V)
La série G3 est conçue pour les applications moyenne à basse tension telles que les systèmes automobiles 48V, la charge rapide USB-C, les variateurs de moteurs et les alimentations de télécommunications. Elle présente un boîtier RQFN 5×6 / 3.3×3.3 compatible avec les dispositions de MOSFET à base de silicium, avec une résistance à l'état passant aussi basse que 1,1 mΩ à 2,3 mΩ. Les modèles de commutateurs bidirectionnels (BDS) 40V peuvent remplacer les MOSFET traditionnels en dos à dos, économisant 50% à 75% de surface de PCB.
Modèle représentatif : IGO60R070D1 (également répertorié pour les applications de commutateurs bidirectionnels basse à moyenne tension) ; pour une table de sélection complète des modèles G3 spécifiques 40V/100V, veuillez contacter l'équipe commerciale de Mingjiada.
4. Commutateur bidirectionnel CoolGaN™ (BDS) — Conduction/Blocage bidirectionnel sur une seule puce
Le BDS CoolGaN™ d'Infineon est le premier dispositif GaN bidirectionnel à mode d'enrichissement intégré sur une seule puce de l'industrie. Il remplace l'architecture traditionnelle de commutateur bidirectionnel "quatre dispositifs en parallèle" par un seul dispositif, réduisant considérablement la nomenclature et l'empreinte du PCB.
Modèles représentatifs fournis par Mingjiada :
IGLT65R055B2 : BDS industriel haute tension 650V dans un boîtier TOLT (Top-Out-Through), doté d'une immunité aux surtensions de 850V ; adapté aux stations de charge bidirectionnelles, aux PCS de stockage d'énergie, aux disjoncteurs à semi-conducteurs et aux convertisseurs DC-DC bidirectionnels.
IGK080B041S : BDS polyvalent basse tension 40V dans un boîtier de taille puce, conçu pour les applications de commutation bidirectionnelle miniaturisées dans l'électronique automobile et grand public.
5. Série CoolGaN™ de qualité automobile (100V/600V, AEC-Q101)
Infineon a introduit des HEMT GaN certifiés AEC-Q101 pour les systèmes automobiles 48V et la charge embarquée. Mingjiada propose la série 100V de qualité automobile, adaptée aux contrôleurs de zone, aux convertisseurs DC-DC principaux, aux systèmes auxiliaires haute performance et aux amplificateurs audio de classe D ; elle fournit également des HEMT GaN e-mode 600V qui répondent aux normes automobiles (telles que IGOT60R070D1AU, IGO60R070D1AU, etc.).
II. Pourquoi choisir Mingjiada pour l'approvisionnement en HEMT GaN Infineon
Directement du fabricant, neuf et authentique. Tous les produits CoolGaN™ d'Infineon chez Mingjiada proviennent directement du fabricant ou de canaux autorisés, garantissant qu'il n'y a pas de pièces reconditionnées ou neuves en vrac. Chaque puce subit une inspection de qualité pour garantir la fiabilité à long terme des dispositifs d'alimentation.
Gamme complète de produits en stock, avec livraison rapide. Les opérations coordonnées entre les deux entrepôts de Shenzhen et de Hong Kong maintiennent un stock de sécurité stratégique pour les modèles CoolGaN™ populaires. Les expéditions nationales sont expédiées dans les 48 heures, prenant en charge la commutation flexible entre les échantillons R&D et les commandes de production de masse, ce qui raccourcit considérablement le délai de mise sur le marché des clients.
Compétitivité des prix grâce aux achats en volume. Tirant parti de notre partenariat approfondi avec Infineon et des avantages des achats en gros, Mingjiada propose des prix échelonnés et des services de verrouillage des prix à long terme pour aider les clients à contrôler les coûts de la nomenclature pendant la phase de mise en œuvre de la solution GaN.
III. Scénarios d'application typiques
Les HEMT GaN CoolGaN™ d'Infineon ont déjà été adoptés par la clientèle de Mingjiada dans les scénarios principaux suivants :
Charge rapide et adaptateurs : les dispositifs e-mode 600V et moyenne tension G3 sont utilisés dans les alimentations QR flyback haute fréquence, PFC en totem et USB-C PD, permettant des conceptions compactes et à haute densité de puissance.
Alimentations de centres de données et de serveurs : la série G5 650V est utilisée dans les SMPS de serveurs certifiés Titanium et la distribution d'alimentation DC haute tension, avec des pertes de commutation nettement inférieures à celles des MOSFET à surjonction de silicium.
Onduleurs PV et stockage d'énergie : les dispositifs G5 650V sont utilisés dans l'étage DC-AC des onduleurs de chaîne et des PCS de stockage d'énergie, augmentant l'efficacité à plus de 98%.
Véhicules à énergie nouvelle : le GaN de qualité automobile 100V/600V est utilisé dans les OBC, les convertisseurs DC-DC et les contrôleurs de zone 48V, répondant aux exigences de fiabilité AEC-Q101.
Variateurs de moteurs industriels et disjoncteurs à semi-conducteurs : les commutateurs bidirectionnels BDS sont utilisés pour le contrôle avant/arrière des moteurs, les relais à semi-conducteurs et la conversion de puissance bidirectionnelle, simplifiant la topologie avec une architecture à puce unique.
IV. Contactez Mingjiada pour la sélection et les devis de HEMT GaN
Pour vérifier la disponibilité actuelle des modèles ci-dessus, obtenir une table de sélection complète ou demander des échantillons gratuits, veuillez contacter Mingjiada Electronics :
Contact : M. Chen
Téléphone / WeChat : +86 0755-83294757 / 13410018555
E-mail : sales@hkmjd.com
Adresse : Chambres 1239-1241, New Asia Guoli Building, Zhenzhong Road, Futian District, Shenzhen, Province du Guangdong
Mingjiada fournit également des pilotes de grille spécifiques au GaN d'Infineon (tels que la série GaN EiceDRIVER™) et des MOSFET SiC, prenant en charge la commande unique pour les solutions hybrides GaN+SiC.
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