Le blog de l'entreprise Mingjiada Grand Approvisionnement de MOSFETs au Carbure de Silicium Infineon IMZC120R007 : 1200V/7mΩ, Boîtier TO-247-4, Stock Disponible à Shenzhen

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. (Mingjiada Electronics), en tant que distributeur professionnel de composants électroniques en stock, fournit depuis longtemps de véritables MOSFETs au carbure de silicium (SiC) de la série CoolSiC™ d'Infineon. Parmi ceux-ci, le IMZC120R007 (numéro de modèle complet : IMZC120R007M2H) est l'un des produits phares de la plateforme technologique CoolSiC™ de deuxième génération d'Infineon. Mingjiada maintient un stock constant à Shenzhen, prenant en charge la livraison rapide des échantillons en petites séries et de la production en grand volume, offrant aux clients des solutions de semi-conducteurs de puissance efficaces et fiables.

I. Aperçu du produit

L'IMZC120R007 est un MOSFET de puissance au carbure de silicium (SiC) de 1200 V lancé par Infineon Technologies, appartenant à la série CoolSiC™ G2 (deuxième génération). Utilisant une technologie de grille à tranchée avancée et s'appuyant sur l'expertise approfondie d'Infineon dans le domaine du SiC, ce dispositif atteint une résistance à l'état passant (RDS(on)) extrêmement faible et des vitesses de commutation ultra-rapides, tout en offrant une excellente stabilité et fiabilité à haute température.

Ce modèle utilise un boîtier TO-247-4 broches (source Kelvin à quatre broches) qui, par rapport aux boîtiers traditionnels à trois broches, réduit considérablement l'inductance de source commune dans le circuit de commande, améliore nettement les performances de commutation et réduit les pertes de commutation, ce qui le rend particulièrement adapté aux applications de conversion de puissance à haute fréquence et à haute efficacité. Grâce à son réseau d'approvisionnement mondial et à son centre de distribution de Shenzhen, Mingjiada Electronics garantit la disponibilité des véritables dispositifs IMZC120R007 en stock pour répondre aux besoins de diverses applications industrielles et automobiles.

II. Caractéristiques et avantages clés

Résistance à l'état passant ultra-faible : valeur typique de 7 mΩ (RDS(on)), avec un maximum de 9 mΩ (à 25°C), réduisant considérablement les pertes de conduction et améliorant l'efficacité du système

Tension de blocage élevée : 1200 V VDS, répondant aux exigences des barres omnibus haute tension et adapté aux véhicules électriques de 800 V et aux systèmes photovoltaïques

Faibles pertes de commutation : grâce aux excellentes caractéristiques à haute fréquence du matériau SiC, les pertes de commutation sont bien inférieures à celles des IGBT à base de silicium avec des spécifications équivalentes, permettant des fréquences de commutation plus élevées (jusqu'à plusieurs centaines de kHz) et réduisant la taille des composants passifs

Large plage de température de fonctionnement : température de jonction jusqu'à 175°C, répondant aux exigences de fiabilité à long terme dans des environnements difficiles

Boîtier TO-247-4 : la broche de source Kelvin élimine l'inductance de source commune dans le circuit de commande, permettant des transitions de commutation plus rapides et un moindre ringing, améliorant ainsi la fiabilité de la commande de grille

Diode de corps intégrée : présente une faible charge de récupération inverse (Qrr), permettant une conduction inverse sans perte sans nécessiter de diode de roue libre externe (adaptée aux topologies de redressement synchrone)

Haute résistance à l'avalanche : offre une résistance à l'avalanche robuste, améliorant la robustesse du système

Compatible avec les tensions de commande de grille standard : prend en charge la commande de grille de 0 V à 18 V (tension de mise en marche recommandée de 15 V), assurant la compatibilité avec les pilotes existants

Conforme à la norme automobile AEC-Q101 (pour les modèles de qualité automobile) ou répond aux exigences de fiabilité de qualité industrielle

III. Spécifications détaillées

Voici les spécifications techniques clés pour l'IMZC120R007 (IMZC120R007M2H) :

Type de produit : MOSFET au carbure de silicium

Boîtier / Logement : PG-TO247-4-U07

Nombre de canaux : 1 canal

Vds – Tension de claquage drain-source : 1,2 kV

Id – Courant de drain continu : 201 A

Rds On – Résistance à l'état passant drain-source : 20 mOhms

Vgs – Tension grille-source : -10 V, +25 V

Vgs th – Tension de seuil grille-source : 5,1 V

Qg – Charge de grille : 176 nC

Température de fonctionnement minimale : -55 °C

Température de fonctionnement maximale : +175 °C

Pd – Dissipation de puissance : 711 W

Nom de la marque : CoolSiC

Configuration : Amélioration

Temps de chute : 33,6 ns

Transconductance directe – Minimale : 60 S

Temps de montée : 21,5 ns

Série : CoolSiC G2

Polarité du transistor : Canal N

Type de transistor : 1 canal N

Type : MOSFET SiC

Temps de retard de coupure typique : 76,3 ns

Temps de retard de mise en marche typique : 32,4 ns

IV. Applications typiques

Avec ses performances exceptionnelles de 1200 V/7 mΩ, l'IMZC120R007 est adapté aux systèmes de conversion de puissance avec des exigences extrêmement élevées en matière d'efficacité, de densité de puissance et de fiabilité, notamment :

Stations de recharge pour véhicules électriques : étages PFC et CC-CC dans les modules de recharge rapide CC, permettant des conceptions à haute efficacité et haute densité de puissance

Onduleurs PV : étages MPPT et onduleurs dans les onduleurs de chaîne, améliorant l'efficacité du système et réduisant la taille

Systèmes de stockage d'énergie (ESS) : convertisseurs CC-CC bidirectionnels, permettant une conversion d'énergie efficace

Alimentations industrielles : alimentations à découpage haute puissance telles que les alimentations de serveur, les alimentations de télécommunication et les alimentations de galvanoplastie

Chargeurs embarqués (OBC) et convertisseurs CC-CC (répondant aux exigences de fiabilité de qualité automobile)

Onduleurs de traction (auxiliaires ou principaux, nécessitant la conformité à l'AEC-Q101)

Alimentations sans interruption (ASI) et filtres actifs (APF)

V. Approvisionnement et services

Mingjiada Electronics fournit de grandes quantités de MOSFETs au carbure de silicium Infineon IMZC120R007 depuis une période prolongée. Notre entrepôt de Shenzhen maintient un stock constant de ces produits. Nous garantissons des produits 100% authentiques et originaux et fournissons les services suivants :

Approvisionnement flexible : prend en charge les achats d'échantillons en petites séries et les commandes de production en grand volume

Livraison rapide : en stock à Shenzhen ; expédié dans les 24 heures suivant la commande

Logistique mondiale : en tirant parti de nos réseaux d'entrepôts à Hong Kong et à Shenzhen, nous prenons en charge l'expédition nationale et internationale

Pour l'inventaire le plus récent, les prix ou pour demander un devis, veuillez visiter le site Web de Mingjiada Electronics (www.hkmjd.com) ou contacter notre équipe de vente.

Informations de contact :

Mobile : +86 13410018555

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