STW58N60DM2AGDescription du produit
Le STW58N60DM2AG est un MOSFET de puissance à canal N de qualité automobile de STMicroelectronics, doté de la technologie avancée MDmesh™ DM2, avec une faible résistance à l'état passant (RDS(on) = 0,052Ω typique) et un rendement de commutation élevé. Le STW58N60DM2AG est conditionné dans un boîtier TO-247-3, conforme à la certification automobile AEC-Q101, et peut fonctionner de manière fiable dans des environnements difficiles de -55°C à 150°C, assurant la fiabilité à long terme des systèmes électroniques automobiles.
Mingjiada Electronics, en tant que fournisseur professionnel de composants électroniques, propose désormais le STW58N60DM2AG dans un emballage d'origine neuf, garantissant une authenticité à 100 %, avec une quantité minimale de commande d'une pièce. Le STW58N60DM2AG est particulièrement adapté aux applications haute puissance telles que les véhicules électriques (VE), les chargeurs embarqués (OBC) et les alimentations industrielles.
Caractéristiques du produit
Le STW58N60DM2AG présente les principales caractéristiques suivantes :
Capacité de commutation haute performance
Tension drain-source de 600 V (Vdss), adaptée aux systèmes d'alimentation haute tension
Courant de drain continu de 50 A (Id), avec une capacité de courant de crête améliorée
Faible résistance à l'état passant (RDS(on) = 60 mΩ @ 25 A, 10 V), réduisant les pertes de puissance
Fiabilité de qualité automobile
Certifié AEC-Q101, adapté à l'électronique automobile (par exemple, OBC, convertisseurs CC-CC)
Dissipation de puissance maximale de 360 W (Pd), optimisée pour les performances thermiques 1
Commande de grille optimisée
Charge de grille (Qg) aussi faible que 90 nC @ 10 V, réduisant les pertes de commutation
Plage de tension de commande de grille (Vgs) ±25 V, compatible avec divers circuits de commande
Faible capacité d'entrée (Ciss = 4100 pF @ 100 V), améliorant les performances de commutation haute fréquence
Le STW58N60DM2AG présente également des caractéristiques de diode de corps à récupération rapide, une charge de grille et une capacité d'entrée extrêmement faibles, et une assurance de test d'avalanche à 100 %. La protection Zener du STW58N60DM2AG et la durabilité dv/dt extrêmement élevée garantissent un fonctionnement stable même dans des environnements difficiles.
Les principaux paramètres techniques du STW58N60DM2AG sont les suivants :
Fabricant : STMicroelectronics
Boîtier : TO-247-3 (montage traversant)
Tension drain-source (Vdss) : 600 V
Courant de drain continu (Id) : 50 A @ 25°C
Résistance à l'état passant (RDS(on)) : 60 mΩ @ 25 A, 10 V
Charge de grille (Qg) : 90 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (Pd) : 360 W (Tc)
Plage de température de fonctionnement : -55°C à 150°C (TJ)
Tension de seuil (Vgs(th)) : 5 V @ 250 μA
Capacité d'entrée (Ciss) : 4100 pF @ 100 V
Courant de drain pulsé : 200 A
STW58N60DM2AG est conditionné dans un boîtier TO-247, de type à montage traversant, et expédié dans un emballage tubulaire. Le STW58N60DM2AG est conforme aux normes RoHS, avec un niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) de niveau 1 (illimité).
Applications typiques
Le STW58N60DM2AG est largement utilisé dans les domaines suivants :
Systèmes électroniques automobiles
Chargeurs embarqués (OBC)
Convertisseurs CC-CC
Systèmes de gestion de l'alimentation des véhicules électriques (VE)
Alimentations industrielles
Convertisseurs à haut rendement
Topologie en pont
Convertisseurs à déphasage ZVS
Autres applications haute puissance
Onduleurs photovoltaïques
Convertisseurs haute fréquence
Systèmes de contrôle industriel
STW58N60DM2AG est particulièrement adapté aux applications nécessitant une grande fiabilité et des performances élevées. La technologie MDmesh™ DM2 du STW58N60DM2AG réduit considérablement les pertes d'énergie dans les applications de commutation.
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