Le blog de l'entreprise Mingjiada Electronics fournit des MOSFETs au carbure de silicium Onsemi et des MOSFETs automobiles T10

Mingjiada Electronics fournit des MOSFET à carbure de silicium et des MOSFET T10 pour l'automobile

La Commission a examiné les informations fournies par les autorités chinoises.- avec une vaste expérience dans le secteur de la fourniture de composants électroniques et une spécialisation dans la distribution de dispositifs de puissance automobile,Nous maintenons un stock de la gamme complète de MOSFET ON Semiconductor T10 et de MOSFET au carbure de silicium (SiC) pour les applications automobiles, couvrant tous les scénarios, de la commande automobile basse tension aux systèmes de propulsion automobile haute tension.fourniture de solutions uniques de composants pour les fabricants d'équipements automobiles et les entreprises de R&D de contrôle électronique.

I. Onsemi Automotive T10 MOSFETs: la solution préférée pour les applications d'alimentation automobile à basse tension
La série Onsemi PowerTrench® T10 est une gamme de MOSFET de puissance moyenne et basse tension développée par Onsemi spécifiquement pour les applications automobiles.Précisément adapté aux scénarios de commande électronique embarquée à basse tension, il surmonte les limites des MOSFET traditionnels à base de silicium en termes de perte de puissance et de dissipation de chaleur, ce qui en fait un composant clé pour les alimentations auxiliaires,systèmes de commande de l'éclairage et modules de commande de la carrosserie.
Mingjiada Electronics maintient un stock de modèles principaux de la gamme Onsemi Automotive T10 MOSFET, couvrant différents voltages,les qualifications actuelles et les spécifications de l'emballage pour répondre aux diverses exigences de conception automobileLes principales spécifications du modèle sont les suivantes:
NTBLS1D1N08X: un MOSFET de technologie T10 de 80 V doté d'une résistance à prise ultra-faible et d'un excellent chiffre de mérite. Conçu spécifiquement pour les systèmes d'alimentation automobile basse tension haute performance,il convient pour les alimentations auxiliaires de la carrosserie et les systèmes de commande de l'éclairage du véhiculeSon emballage compact le rend idéal pour les modules de commande électronique miniaturisés.
NVMJST2D1N08X: un MOSFET à N-canal unique à courant élevé de 80 V et 334 A utilisant un pack TCPAK5x7 refroidi par refroidissement par le haut, offrant des performances thermiques exceptionnelles. Certifié selon les normes automobiles AEC-Q101,il offre une fiabilité exceptionnelle et est principalement utilisé dans les sources d'alimentation auxiliaires de haute puissance et les modules d'entraînement des moteurs pour les applications automobiles.
NVMFS5C426: un MOSFET de 40 V de qualité automobile avec un courant maximal de 235 A et une résistance d'allumage aussi basse que 1,3 mΩ, offrant des pertes de conduction extrêmement faibles.systèmes d'alimentation en courant élevé et circuits auxiliaires à charge rapide, et est largement utilisé dans les systèmes de contrôle de la carrosserie des véhicules particuliers et commerciaux.

II. MOSFET à carbure de silicium (SiC): composants de base pour les applications électriques à haute tension dans l'automobile
ciblant les applications à haute tension et à haute puissance telles que les chargeurs embarqués (OBC), les convertisseurs DC/DC embarqués, les systèmes de gestion de la batterie à haute tension et les onduleurs à entraînement principal des véhicules à énergie nouvelle,Onsemi a lancé la série EliteSiC de MOSFET au carbure de siliciumL'ensemble de la gamme de produits répond aux normes d'application automobile et convient à toutes les catégories de voitures particulières à énergie nouvelle, de véhicules hybrides et de véhicules commerciaux à énergie nouvelle.
Mingjiada Electronics dispose d'un stock à long terme de la série EliteSiC d'Onsemi de MOSFETs en carbure de silicium de qualité automobile, couvrant les spécifications de haute tension traditionnelles de 650V et 1200V,adapté à divers systèmes de haute tension des véhicules à énergie nouvelleLes modèles de base sont les suivants:
NVHL070N120M3S: Un MOSFET SiC haute tension de 1200 V fabriqué selon le procédé M3S. Avec un Vgs de 18 V et un Id de 15 A, il présente une résistance d'allumage de seulement 65 mΩ,entraînant des pertes de changement extrêmement faiblesCertifié selon la norme automobile AEC-Q101, il est principalement conçu pour les chargeurs embarqués et les convertisseurs CC/DC haute tension dans les véhicules à énergie nouvelle,et est adapté aux systèmes de régulation de la puissance haute tension des modèles hybrides et électriques purs.
NTT2012N065M3S: un MOSFET en carbure de silicium de 650 V de qualité automobile dans un emballage T2PAK, avec une résistance d'allumage aussi basse que 12,7 mΩ. Il offre une forte densité de puissance et d'excellentes performances thermiques,le rendant adapté aux systèmes de conversion de basse tension en haute tension et aux sources d'alimentation auxiliaires à haute tension embarquées dans les véhicules à énergie nouvelle, en équilibrant l'efficacité élevée et les économies d'énergie avec l'efficacité spatiale.

Onsemi’s T10 silicon-based MOSFETs and EliteSiC silicon carbide MOSFETs cover the two core application areas of in-vehicle low-voltage auxiliary power control and high-voltage powertrain systems respectivelyGrâce à leurs performances prouvées de qualité automobile, à un excellent contrôle de la consommation d'énergie et à leur stabilité, ils sont devenus le choix principal pour les appareils d'alimentation automobile.

Pour plus de détails sur les produits MOSFET (onsemi) ou pour connaître les prix, veuillez consulter le site Internet de Mingjiada Electronics (Les informations fournies par les autorités compétentes sont les suivantes:) pour plus d'informations sur l'offre.