Le blog de l'entreprise Mingjiada Electronics Fournit Infineon IRF6894MTRPBF : MOSFET HEXFET canal N 25 V, 1,3 mΩ à très faible résistance à l'état passant

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. fournit un approvisionnement stable à long terme du IRF6894MTRPBF MOSFET de puissance HEXFET N-channel haute performance.

IRF6894MTRPBF Aperçu du produit
L'IRF6894MTRPBF est un MOSFET N-channel haute performance introduit par Infineon Technologies. Ce composant de puissance, modèle IRF6894MTRPBF, utilise la technologie HEXFET avancée pour offrir des performances électriques exceptionnelles.

En tant que produit clé du portefeuille de Mingjiada Electronics, l'IRF6894MTRPBF a acquis une large reconnaissance sur le marché pour sa très faible résistance à l'état passant de 1,3 mΩ. Avec une tension drain-source nominale de 25 V, il est un choix idéal pour les applications à basse et moyenne tension. L'IRF6894MTRPBF utilise le boîtier DirectFET MX. Cette conception de boîtier unique améliore non seulement les performances thermiques, mais réduit également l'encombrement du circuit imprimé.

Les principales caractéristiques techniques de l'IRF6894MTRPBF comprennent :
• Tension drain-source (Vdss) : 25 V
• Courant de drain continu (Id) : 32 A (Ta), 160 A (Tc)
• Résistance à l'état passant (Rds(on)) : 1,3 mΩ @ 33 A, 10 V
• Tension de commande de grille : 4,5 V à 10 V
• Plage de température de fonctionnement : -40 °C à 150 °C (TJ)
• Type de boîtier : Montage en surface DirectFET™ MX

Spécifications techniques détaillées
Fabricant : Infineon Technologies
Numéro de pièce : IRF6894MTRPBF
Type de composant : MOSFET de puissance N-channel
Plateforme technologique : HEXFET®, DirectFET™
Tension de claquage (V_DSS) : 25 V (minimum)
Résistance à l'état passant (R_DS(on)) : 1,3 mΩ @ V_GS=10 V, I_D=20 A (typique)
Courant de drain continu (I_D) : 200 A @ T_C=100 °C, 320 A @ T_C=25 °C
Courant de drain pulsé (I_DM) : 750 A @ T_pulse=10 µs, V_GS=10 V
Tension de seuil de grille (V_GS(th)) : 1,6 V ~ 2,5 V (typique 2,0 V)
Tension de commande de grille (V_GS) : Recommandé +10 V, Maximum ±20 V
Charge de grille totale (Q_g) : 26 nC @ V_GS=0 V~10 V
Charge grille-source (Q_gs) : 12 nC
Charge grille-drain (Q_gd) : 6 nC
Capacité d'entrée (C_iss) : 6800 pF @ V_DS=12,5 V
Capacité de sortie (C_oss) : 1800 pF @ V_DS=12,5 V
Capacité de transfert inverse (C_rss) : 360 pF
Charge de récupération inverse (Q_rr) : 120 nC (typique)
Énergie d'avalanche (E_AS) : 600 mJ (impulsion unique)
Courant d'avalanche (I_AR) : 200 A
Température de fonctionnement : -55 °C à +175 °C (température de jonction)
Type de boîtier : DirectFET™ Medium Can
Dimensions du boîtier : 7,0 mm × 6,0 mm × 0,7 mm
Nombre de broches : 7+1 (7 broches fonctionnelles + 1 pastille thermique)
Résistance thermique (R_thJC) : 0,5 °C/W (Bas) + 1,2 °C/W (Haut)
AEC-Q101 : Grade 0 réussi
Classement ESD : HBM Classe 1C (1000 V~2000 V)
Statut RoHS : Conforme RoHS3, sans plomb
Sans halogène : Oui

IRF6894MTRPBF Caractéristiques du produit :
Utilise la technologie silicium de nouvelle génération d'IR
Offre une efficacité optimale pour les applications buck synchrones d'entrée 12 V

IRF6894MTRPBF Applications :
Serveurs de nouvelle génération, ordinateurs de bureau et PC portables

Informations d'achat
Numéro de pièce : IRF6894MTRPBF
Fabricant : Infineon Technologies
Type de composant : MOSFET HEXFET N-channel
Plateforme technologique : DirectFET™ Medium Can
AEC-Q101 : Grade 0 réussi
Statut RoHS : Conforme RoHS3, sans plomb
Quantité minimum de commande : Support flexible, échantillons disponibles
Disponibilité : Stock disponible, expédition le jour même
Fourchette de prix : Tarification échelonnée en fonction du volume d'achat

Pour toute demande de renseignements ou besoin d'achat concernant IRF6894MTRPBF, veuillez nous contacter à tout moment :
Téléphone : +86 13410018555
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