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Le blog de l'entreprise Mingjiada Electronics — Approvisionnement et recyclage des MOSFETs CoolSiC™ 750V G2 en carbure de silicium Infineon IMBG75R (pour applications de serveurs IA)

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La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
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—— Nishikawa, du Japon

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Société Le blog
Mingjiada Electronics — Approvisionnement et recyclage des MOSFETs CoolSiC™ 750V G2 en carbure de silicium Infineon IMBG75R (pour applications de serveurs IA)
Dernières nouvelles de l'entreprise Mingjiada Electronics — Approvisionnement et recyclage des MOSFETs CoolSiC™ 750V G2 en carbure de silicium Infineon IMBG75R (pour applications de serveurs IA)

Avec la croissance explosive de la consommation d'énergie due aux grands modèles d'IA et aux serveurs haute performance, les alimentations de serveur (PSU) évoluent vers une efficacité ultra-élevée, des fréquences de commutation élevées et une densité de puissance élevée. Grâce à ses performances de commutation exceptionnelles et à sa stabilité à haute température, la série 750V CoolSiC™ MOSFET G2 de deuxième génération d'Infineon (IMBG75R) est devenue le composant de puissance principal pour la prochaine génération de systèmes d'alimentation de serveurs IA.


Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. maintient un stock à long terme de MOSFET en carbure de silicium IMBG75R authentiques d'Infineon sur toute la gamme de produits. L'entreprise propose également des prix avantageux pour le rachat de stocks excédentaires et obsolètes de cette série dans toutes les industries, fournissant des services d'approvisionnement en composants de haute qualité et d'optimisation des stocks aux clients des secteurs des serveurs IA, des centres de données, des alimentations industrielles et des nouvelles énergies.


I. Liste complète des modèles de la série IMBG75R (approvisionnement et rachat)

La série IMBG75R utilise le boîtier de montage en surface PG-TO263-7 (D2PAK-7) avec une broche de source indépendante intégrée (Kelvin Source), couvrant une plage de résistance à l'état passant (RDS(on)) de 7 mΩ à 60 mΩ pour s'adapter aux conceptions d'alimentation de différentes puissances nominales. La liste complète des modèles comprend :


IMBG75R007M2H

IMBG75R011M2H

IMBG75R016M2H

IMBG75R020M2H

IMBG75R025M2H

IMBG75R033M2H

IMBG75R040M2H

IMBG75R050M2H

IMBG75R060M2H

 

II. Caractéristiques techniques clés

Cette série est basée sur la technologie CoolSiC™ de carbure de silicium à tranchées de deuxième génération d'Infineon, qui offre une amélioration de 20 % à 35 % des indicateurs clés de la Figure de Mérite (FOM) par rapport à la génération précédente, offrant les avantages significatifs suivants :

Pertes de commutation ultra-faibles : les paramètres RDS(on)×Qfr, RDS(on)×Qoss et RDS(on)×QG, leaders de l'industrie, réduisent considérablement les pertes de puissance dans les topologies à commutation dure et à commutation douce, aidant les systèmes d'alimentation à atteindre des rendements supérieurs à 97 %.

Haute robustesse et fiabilité : conformité au test d'avalanche à 100 %, capable de supporter des conditions de barre omnibus haute tension supérieures à 500 V, et résistant efficacement aux effets de conduction parasites.

Performances thermiques exceptionnelles : utilisant le procédé de soudure par diffusion .XT breveté par Infineon, il offre une excellente dissipation thermique, avec une température de jonction de fonctionnement maximale de 175 °C (jusqu'à 200 °C pour certains modèles) et une résistance thermique extrêmement faible.

Conception de driver simplifiée : un faible rapport Crss/Ciss combiné à une tension de seuil de grille élevée VGS(th) prend en charge la commande de grille unipolaire (arrêt à 0 V), réduisant la complexité du circuit de commande ; les broches de source de commande indépendantes améliorent le partage de courant dans les configurations parallèles multi-dispositifs haute puissance.


III. Applications typiques : Serveurs IA et centres de données

La série IMBG75R est spécialement conçue pour les applications d'alimentation haute fréquence, haute tension et haute puissance, les serveurs IA étant son domaine d'application principal :

Alimentations de serveurs IA (PSU) : circuits d'élévation PFC en totem-pole et convertisseurs CC-CC résonants LLC/CLLC, répondant aux exigences d'alimentation instantanée à courant élevé des GPU haute puissance (tels que les NVIDIA H100 et B200).

Architecture d'alimentation des centres de données : alimentations de serveur triphasées haute tension et conversion CC-CC haute/basse tension, contribuant à réduire l'indicateur de consommation d'énergie PUE dans les centres de données.

Stockage d'énergie et alimentation de secours : convertisseurs de stockage d'énergie de centre de données (PCS) et systèmes de stockage d'énergie par batterie (BESS).

Autres applications industrielles : onduleurs photovoltaïques, stockage d'énergie commercial et industriel, modules d'alimentation de stations de recharge CC, systèmes UPS haute puissance, disjoncteurs à semi-conducteurs (SSCB), etc.


IV. Engagement de service de Mingjiada

Disponibilité immédiate : couvrant toute la série IMBG75R ; produits authentiques et originaux ; supportant à la fois l'approvisionnement d'échantillons et en vrac.

Rachat à long terme : nous offrons un rachat à haute valeur de stocks excédentaires pour cette série et les MOSFET CoolSiC™ similaires d'Infineon auprès des fabricants, fournisseurs de solutions et fabricants sous contrat, fournissant une évaluation professionnelle et des conditions de règlement flexibles.


Veuillez contacter Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. pour les dernières listes de stock, les devis ou les demandes concernant les arrangements de rachat.


Si vous êtes intéressé, veuillez contacter M. Chen par téléphone :

Mobile : +86 13410018555

E-mail : sales@hkmjd.com

Site Web : https://www.integrated-ic.com/

Adresse : Rooms 1239–1241, Guoli Building, Zhenzhong Road, Futian District, Shenzhen

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