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Le blog de l'entreprise Mingjiada Electronics fournit des transistors MOSFET Infineon Power, des solutions de puissance haute performance

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La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
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Mingjiada Electronics fournit des transistors MOSFET Infineon Power, des solutions de puissance haute performance
Dernières nouvelles de l'entreprise Mingjiada Electronics fournit des transistors MOSFET Infineon Power, des solutions de puissance haute performance

Mingjiada Electronics fournit des transistors MOSFET de puissance Infineon, des solutions d'alimentation haute performance

 

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. — Fournisseur à long terme de divers produits MOSFET haute performance d'Infineon, notamment : IRFP4110PBF, IRFB3306GPBF, BSZ440N10NS3G, BSZ520N15NS3G, BSC052N08NS5, etc., fournissant des solutions de dispositifs d'alimentation de base pour les alimentations industrielles, les nouvelles énergies et les applications de commande de moteurs.

 

Les produits de la série MOSFET de puissance Infineon fournis par Mingjiada Electronics couvrent une large gamme de tensions, de courants nominaux et d'exigences d'application. Vous trouverez ci-dessous les informations pertinentes pour les produits fournis :
1. IRFP4110PBF : Interrupteur de puissance à courant élevé
Paramètres de base : Doté d'un boîtier TO-247-3 et d'une conception à canal N, il a une tension de claquage drain-source de 100 V et une capacité de courant de drain continu de 180 A, avec une faible résistance à l'état passant de 3,7 mΩ.
Caractéristiques de commutation : Charge de grille (Qg) 150 nC, supportant une large plage de tension grille-source de -20 V à +20 V.
Performance thermique : Dissipation de puissance maximale de 370 W à 25°C, plage de température de fonctionnement de -55°C à +175°C.
Avantages d'application : Spécialement conçu pour la rectification synchrone efficace et les alimentations à découpage à courant élevé, il fonctionne exceptionnellement bien dans les systèmes UPS et les applications de conversion de puissance à haute fréquence.

 

2. IRFB3306PBF : Rectification synchrone à haut rendement
Boîtier et caractéristiques électriques : Boîtier TO-220, tension drain-source de 60 V, courant de drain continu de 160 A, résistance à l'état passant aussi faible que 3,3 mΩ.
Performance dynamique : Charge de grille 85 nC, supporte une tension grille-source de ±20 V, vitesse de commutation rapide, adaptée aux applications à haute fréquence.
Gestion thermique : Dissipation de puissance maximale de 230 W, résistance thermique jonction-boîtier de seulement 0,65°C/W, excellente performance de dissipation thermique.
Scénarios d'application : Particulièrement adapté aux circuits de rectification synchrone dans les alimentations de serveurs et les SMPS de qualité industrielle, améliorant la capacité dV/dt de la diode du corps.

 

3. BSZ440N10NS3G : Dispositif de nouvelle génération à faibles pertes
Percée technique : Spécification 100 V/70 A, la technologie OptiMOS atteint une résistance à l'état passant ultra-faible (valeur typique 4,4 mΩ).
Rendement de commutation : Qg considérablement optimisé réduit les pertes de commutation et améliore l'efficacité de l'alimentation à haute fréquence.
Avantages du boîtier : Utilise un boîtier TO-263 standard, compatible avec les processus d'assemblage automatisés.
Valeur d'application : Particulièrement adapté aux convertisseurs DC-DC et aux conceptions d'alimentation d'outils électriques (Remarque : les caractéristiques des paramètres sont basées sur la technologie commune de la nouvelle génération BSZ d'Infineon).

 

4. BSC052N08NS5 & BSZ520N15NS3G : Combinaison moyenne tension à haut rendement
Caractéristiques BSC052N08NS5 : Spécification 80 V/100 A, résistance à l'état passant aussi faible que 5,2 mΩ, avec une conception Qgs optimisée.
Caractéristiques BSZ520N15NS3G : Spécification 150 V/70 A, commande de grille 15 V, équilibrant les pertes de conduction et les performances de commutation.
Communauté technique : Les deux adoptent le boîtier SuperSO8, offrant d'excellentes performances thermiques et une densité de puissance élevée.
Combinaison d'applications : Fournit une couverture de tension parfaite dans les applications OBC de véhicules électriques et de commande de moteurs industriels (Remarque : les caractéristiques de la série BSZ sont basées sur une analyse commune de la documentation technique d'Infineon).

 

Pour plus d'informations sur les transistors MOSFET de puissance Infineon ou pour vous renseigner sur les prix de modèles spécifiques, veuillez consulter le site Web officiel de Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) pour vérifier les détails de l'offre.

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