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Le blog de l'entreprise Le système de mémoire de type LPDDR5 MT62F1G64D8WT-031 XT:B_MT62F1G64D8WT-031

Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
Examens de client
A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

Service professionnel et rapide, prix acceptables des marchandises. excellente communication, produit comme prévu. Je recommande fortement ce fournisseur.

—— Luis, des États-Unis

Haute qualité et performances fiables: "Les composants électroniques que nous avons reçus de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sont de haute qualité et ont montré des performances fiables dans nos appareils".

—— Richardg, d'Allemagne

Prix compétitifs: les prix offerts par le groupe sont très compétitifs, ce qui en fait un excellent choix pour nos besoins d'approvisionnement.

—— Tim, de Malaisie

Le service à la clientèle fourni par est excellent. Ils sont toujours réactifs et serviables, en veillant à ce que nos besoins soient satisfaits rapidement.

—— Vincent, de Russie

Les prix sont excellents, la livraison est rapide et le service à la clientèle est de premier ordre.

—— Nishikawa, du Japon

Des composants fiables, une expédition rapide et un excellent support.

—— Sam, des États-Unis

Je recommande fortement Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd pour tout projet électronique!

—— Lina, d'Allemagne

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Société Le blog
Le système de mémoire de type LPDDR5 MT62F1G64D8WT-031 XT:B_MT62F1G64D8WT-031
Dernières nouvelles de l'entreprise Le système de mémoire de type LPDDR5 MT62F1G64D8WT-031 XT:B_MT62F1G64D8WT-031

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. nouvelle et originale [Fournisseur] [Acquisition] mémoire LPDDR5 IC MT62F1G64D8WT-031 XT:B_MT62F1G64D8WT-031 AV XT:B Mémoire à accès aléatoire dynamique LPDDR5 64G 1GX64 FBGA

 

Introduction au projet

La DRAM LPDDR5 de Micron pour les appareils mobiles et l'intelligence artificielle (IA) est conçue pour répondre aux exigences des réseaux 5G.4 GbpsIl est essentiel d'éviter les goulots d'étranglement liés aux données 5G.L'appareil fournit également plus de 20% d'énergie en plus par rapport aux générations précédentes.

 

Caractéristiques du produit

  • Le nœud 1y nm avancé de Micron avec une capacité de 12 Go et des vitesses de données de 6,4 Gbps, améliorant la conception globale de la DRAM
  • Amélioration de la bande passante de plus de 50% pour améliorer les performances des smartphones phares de nouvelle génération tels que la 5G et l'IA
  • Activer les fonctionnalités de nouvelle génération sur les smartphones Edge+
  • Plus de 20% d'amélioration de l'efficacité énergétique par rapport à LPDDR4, de sorte que les smartphones phares peuvent fonctionner plus longtemps entre les charges

 

Spécification

Validation du jeu de puces: nul

Temps de cycle: 6400 MB/s

Capacité de stockage: 64 Go

Le code FBGA: D9ZNT

Température de fonctionnement: -25°C à +85°C

Technologie: LPDDR5

Largeur: x64

 

La société ne recycle que les sources de canaux formels, comme les agents, les commerçants, les usines de terminaux, etc. Nous n'acceptons pas les sources qui ne sont pas des canaux formels.

 

Si vous êtes intéressé, n'hésitez pas à nous contacter:

Personne de contact: M. Chen/équipe d'évaluation

Numéro de téléphone mobile: +86 13410018555

Le courrier électronique: sales@hkmjd.com

Page d'accueil de l'entreprise:Le présent règlement est obligatoire dans tous ses éléments.

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Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Mr. Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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