Le blog de l'entreprise IRFP3206 MOSFET de puissance à canal N : Une analyse détaillée du transistor à effet de champ haute performance 60V/200A

Shenzhen Mingjiada Electronics – distributeur d'Infineon – a en stock des transistors MOSFET de puissance N-channel StrongIRFET™ de 60V, en boîtier TO-247.IRFP3206 MOSFET de puissance N-channel StrongIRFET™ de 60V en boîtier TO-247.

I. IRFP3206 Présentation du produit

Le IRFP3206 est un MOSFET de puissance N-channel de la série HEXFET® d'Infineon Technologies. Fabriqué à l'aide de la technologie avancée Trench MOSFET, il présente une résistance à l'état passant extrêmement faible et des performances de commutation exceptionnelles. Logé dans un boîtier TO-247AC, ce dispositif est spécifiquement conçu pour les applications de conversion de puissance à courant élevé et à haut rendement, et est mondialement reconnu comme l'un des MOSFET de puissance en boîtier TO-247 offrant la plus faible résistance à l'état passant dans la classe de tension de 60V.

En tant que dispositif de commutation de haute puissance, l'IRFP3206 offre des performances particulièrement bonnes dans des applications telles que la rectification synchrone à haut rendement, les alimentations sans interruption, la commutation de puissance à haute vitesse et les circuits à haute fréquence à commutation dure. Ce produit est certifié RoHS et sans plomb, conformément aux réglementations environnementales en vigueur.

II. IRFP3206 Spécifications techniques clés

Fabricant : Infineon

Modèle de produit : IRFP3206

Type de FET : N-channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)

Tension Drain-Source (Vdss) : 60V

Courant de drain continu (Id) : 120A (limite du boîtier) / 200A (limite de la plaquette)

Courant de drain pulsé : 840A

Résistance à l'état passant RDS(on) (typique) : 2,4 mΩ

Résistance à l'état passant maximale RDS(on) : 3,0 mΩ @ 75 A, 10 V

Tension de seuil de grille Vgs(th) : 4 V @ 150 µA

Charge de grille Qg : 170 nC @ 10 V

Capacité d'entrée Ciss : 6540 pF @ 50 V

Capacité de sortie Coss : 720 pF

Capacité de transfert inverse Crss : 360 pF

Dissipation de puissance Pd : 280 W

Tension grille-source Vgs : ±20 V

Plage de température de fonctionnement : -55 °C à +175 °C

Type de boîtier : TO-247AC (montage traversant)

Conditionnement : En tube, 25 par tube

III. IRFP3206 Caractéristiques et avantages du produit

1. Résistance à l'état passant extrêmement faible

L'IRFP3206 atteint une résistance à l'état passant aussi basse que 2,4 mΩ (typique) sous une commande de grille de 10 V, avec un maximum de seulement 3,0 mΩ. Cette RDS(on) extrêmement faible entraîne des pertes de conduction plus faibles et une efficacité système plus élevée, ce qui le rend particulièrement adapté aux applications de conversion de puissance à courant élevé.

2. Capacité de transport de courant élevée

La puce de silicium permet un courant de drain continu allant jusqu'à 200 A, tandis que le boîtier est évalué pour 120 A ; les courants de pointe peuvent atteindre 840 A, répondant aux exigences des applications de haute puissance les plus exigeantes.

3. Excellente robustesse avalanche et dV/dt

Le dispositif présente une robustesse améliorée de la grille, de l'avalanche et du dV/dt dynamique, lui permettant de supporter efficacement les pics de tension et les surtensions transitoires dans le circuit, améliorant ainsi la fiabilité du système.

4. Capacité et SOA avalanche entièrement caractérisées

Les caractéristiques de capacité entièrement caractérisées et la zone de fonctionnement sécuritaire avalanche (SOA) fournissent aux ingénieurs des références de conception précises, réduisant les risques de conception.

5. Capacités améliorées de la diode de corps

Les capacités améliorées de dV/dt et dI/dt de la diode de corps réduisent les pertes de récupération inverse dans des applications telles que la rectification synchrone.

6. Boîtier TO-247AC standard de l'industrie

Le boîtier traversant TO-247AC offre d'excellentes performances thermiques et une résistance mécanique, facilitant la conception du circuit imprimé et la conception thermique.

IV. IRFP3206 Domaines d'application typiques

Grâce à sa capacité de courant élevée, sa faible résistance à l'état passant et sa robustesse exceptionnelle, l'IRFP3206 est largement utilisé dans les domaines suivants :

Rectification synchrone à haut rendement dans les alimentations à découpage (SMPS) : La résistance à l'état passant extrêmement faible améliore considérablement l'efficacité de la conversion de puissance

Alimentations sans interruption (ASI) : La capacité de courant élevée et les excellentes performances thermiques garantissent le fonctionnement stable des systèmes ASI

Commutateurs de puissance à haute vitesse : Convient aux circuits de conversion de puissance nécessitant des opérations de commutation rapides

Circuits à commutation dure et à haute fréquence : Les caractéristiques de commutation supérieures répondent aux exigences de fonctionnement à haute fréquence

Entraînements de moteurs CC : La capacité de courant élevée convient au contrôle de moteurs de haute puissance

Systèmes de gestion de batterie : Les faibles pertes de résistance à l'état passant prolongent la durée de vie de la batterie

Onduleurs et convertisseurs CC-CC : Largement utilisés dans diverses topologies de conversion de puissance

Coordonnées

Nom de l'entreprise : Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Adresse de l'entreprise : Rooms 1239–1241, New Asia Guoli Building, Zhenzhong Road, Futian District, Shenzhen, Guangdong Province

Téléphone : 86-755-83294757 / 13410018555

E-mail : sales@hkmjd.com

Site Web officiel : www.integrated-ic.com