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Le blog de l'entreprise Transistors Infineon IGW20N60H3 Haute vitesse 600V 20 A Single TRENCHSTOPTM IGBT de troisième génération

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La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
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Examens de client
A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

Service professionnel et rapide, prix acceptables des marchandises. excellente communication, produit comme prévu. Je recommande fortement ce fournisseur.

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Transistors Infineon IGW20N60H3 Haute vitesse 600V 20 A Single TRENCHSTOPTM IGBT de troisième génération
Dernières nouvelles de l'entreprise Transistors Infineon IGW20N60H3 Haute vitesse 600V 20 A Single TRENCHSTOPTM IGBT de troisième génération

Transistors d'alimentation électronique MingjiadaLe produit doit être présenté sous forme d'une couche d'eau.IGBT à haute vitesse 600V 20 A de 3e génération TRENCHSTOPTM en TO247 avec un équilibre parfait entre les pertes de commutation et de conduction.La caractéristique clé de cette série est le comportement de commutation de débranchement similaire au MOSFET avec des pertes de débranchement réduites.

 

CaractéristiquesLe produit doit être présenté sous forme d'une couche d'eau.

  • Les offres de la technologie TRENCHSTOPTM
  • Fréquence de vibration très basse
  • Faible interférence électromagnétique
  • Diodes antiparallèles très douces et à récupération rapide
  • Température maximale de jonction de 175°C
  • Répond aux exigences de l'application cible de JEDEC
  • Plaquage sans Pb; conforme à la réglementation RoHS

 

Applications deLe produit doit être présenté sous forme d'une couche d'eau.

  • Écran de commande électrique
  • Convertisseurs de soudure
  • Convertisseurs à haute fréquence de commutation

 

Avantages du produitLe produit doit être présenté sous forme d'une couche d'eau.

  • Faibles pertes de commutation et de conduction
  • Très bon comportement de l'IME
  • Peut être utilisé en conjonction avec de petites résistances de porte pour raccourcir le temps de retard et réduire les dépassements de tension
  • Densité de courant élevée
  • Meilleur rendement IGBT 600V et comportement EMI

 

Les spécifications deLe produit doit être présenté sous forme d'une couche d'eau.

  • Catégorie du produit: Transistor bipolaire à porte isolée (IGBT)
  • Technologie: Si
  • Paquet / Cas: TO-247-3
  • Mode de montage: à travers le trou
  • Configuration: unique
  • Voltage maximal du collecteur-émetteur VCEO: 600 V
  • Voltage de saturation du collecteur-émetteur: 1,95 V
  • Voltage maximal de la porte/émetteur: - 20 V, 20 V
  • Courant continu du collecteur à 25 C: 40 A
  • Dissipation de puissance Pd: 170 W
  • Température minimale de fonctionnement: - 40 °C
  • Température de fonctionnement maximale: + 175 C
  • Série: HighSpeed 3
  • Courant de fuite de l'émetteur de la porte: 100 nA

 

URL de l'entreprise:Les informations fournies par les autorités compétentes sont les suivantes:

 

Questions fréquentes

Q: Vos produits sont-ils originaux?
R: Oui, tous les produits sont originaux, la nouvelle importation originale est notre objectif.
Q: Quels certificats avez-vous?
R: Nous sommes une société certifiée ISO 9001:2015 et membre de l'ERAI.
Q: Pouvez-vous prendre en charge la commande ou l'échantillon en petite quantité?L'échantillon est-il gratuit?
R: Oui, nous soutenons les commandes d'échantillons et les petites commandes. Le coût des échantillons est différent selon votre commande ou votre projet.
Q: Comment expédier ma commande?
R: Nous utilisons express pour expédier,comme DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Nous pouvons également utiliser votre transitaire suggéré.Les produits seront dans un bon emballage et assurer la sécurité et nous sommes responsables des dommages produits à votre commande.
Q: Et le délai de livraison?
R: Nous pouvons expédier les pièces en stock dans un délai de 5 jours ouvrables. Si vous n'avez pas de stock, nous vous confirmerons le délai de livraison en fonction de votre quantité de commande.

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Téléphone: 86-13410018555

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