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Le blog de l'entreprise Le système d'exploitation doit être équipé d'un système d'exploitation de commande automatique (CAC) qui est équipé d'un système d'exploitation de commande automatique.

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La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
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Le système d'exploitation doit être équipé d'un système d'exploitation de commande automatique (CAC) qui est équipé d'un système d'exploitation de commande automatique.
Dernières nouvelles de l'entreprise Le système d'exploitation doit être équipé d'un système d'exploitation de commande automatique (CAC) qui est équipé d'un système d'exploitation de commande automatique.

InfinionS26HS512TGABHI003 Les États membres doivent fournir des informations détaillées sur les mesures à prendre.IC de mémoire flash SEMPERTM ou à haute densité

 

Description du produitS26HS512TGABHI003 Les États membres doivent fournir des informations détaillées sur les mesures à prendre.
S26HS512TGABHI003 Les États membres doivent fournir des informations détaillées sur les mesures à prendre.est un membre de la famille de mémoires flash SEMPERTM NOR d'Infineon et possède une densité de 512 Mbit.Cet appareil fonctionne sur une interface HYPERBUS avec une bande passante de 400 MByte/s et une tension de fonctionnement de 1.8 V. Il est doté d'une fréquence d'interface ultra-rapide de 200 MHz (DDR) et est inclus dans un pack Infineon PG-BGA-24 robuste.

 

La famille de produits Infineon SEMPERTM Flash est constituée d'appareils CMOS, MIRRORBITTM OU Flash haute vitesse compatibles avec la spécification JEDEC JESD251 eXpanded SPI (xSPI).SEMPERTM Flash est conçu pour la sécurité fonctionnelle avec un développement selon la norme ISO 26262 pour atteindre la conformité ASIL-B et la préparation ASIL-D.

 

Paramètres deS26HS512TGABHI003 Les États membres doivent fournir des informations détaillées sur les mesures à prendre.
Densité: 512 MBit
Famille: HS-T
Largeur de bande d'interface: 400 MByte/s
Fréquence d'interface:200 MHz
Interfaces:HYPERBUS
Finition en boule de plomb:Sn/Ag/Cu
Température de fonctionnement: -40 °C - 85 °C
Voltage de fonctionnement:1.8 V 1.7 V 2 V
Température de reflux maximale:260 °C

 

Caractéristique deS26HS512TGABHI003 Les États membres doivent fournir des informations détaillées sur les mesures à prendre.
Technologie Infineon MIRRORBITTM de 45 nm qui stocke deux bits de données dans chaque cellule de la matrice de mémoire
Options d'architecture sectorielle
Buffer de programmation de page de 256 ou 512 octets
Région de silicium sécurisé OTP (SSR) de 1024 octets (32 × 32 octets)
Interface HYPERBUSTM
Les périphériques SEMPERTM Flash avec interface HYPERBUSTM prennent en charge le démarrage par défaut dans l'interface SPI (x1) ou HYPERBUSTM (x8)
Le démarrage automatique permet un accès immédiat au tableau de mémoire après le démarrage.
Réinitialisation matérielle par la méthode de signalisation CS# (JEDEC) ET épingle individuel RESET#
Paramètres détectables par flash en série (SFDP) décrivant les fonctions et les caractéristiques du dispositif
Identification du dispositif, identification du fabricant et identification unique

 

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