Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.est un fournisseur spécialisé de composants électroniques, offrant une disponibilité à long terme du MOSFET de puissance à canal N haute performance d'Infineon – le IPB117N20NFD. Ce produit appartient à la série OptiMOS™ FD, réputée pour ses performances exceptionnelles et sa grande fiabilité, ce qui le rend largement applicable dans diverses applications haute puissance.
IPB117N20NFD Aperçu du produit
L'IPB117N20NFD est un transistor MOSFET de puissance à canal N de Infineon Technologies, utilisant la technologie avancée OptiMOS™ FD (Fast Diode).
Ce IPB117N20NFD de 200V appartient à la série OptiMOS™ FD, spécifiquement optimisé pour la commutation dure de la diode de corps.
L'IPB117N20NFD utilise un boîtier TO-263-3 (également connu sous le nom de D2PAK), adapté à la technologie de montage en surface, facilitant la soudure et l'assemblage efficaces sur les chaînes de production automatisées.
IPB117N20NFD Principaux paramètres de performance
Tension Drain-Source (VDS) : 200V
Résistance à l'état passant maximale (FOS(uv)) : 11,7 mΩ
Courant de drain continu (ID) : 84A (à Tc=25°C)
Courant de drain pulsé : 336A (à Tc=25°C, I0=67A, R0B=25Ω)
dv/dt de crête de la diode inverse : 60kV/μs (à ln=160A, V0B=100V, dir/t=1500A/μs, Tjmax=175°C)
Tension Grille-Source (VGS) : -20V à 20V
Dissipation de puissance (Pd) : 300W (à Tc=25°C)
Plage de température de fonctionnement : -55°C à 175°C
Caractéristiques du produit
L' IPB117N20NFD intègre plusieurs technologies avancées, offrant les caractéristiques clés suivantes :
Robustesse améliorée : Optimisé pour l'endurance lors de la commutation dure de la diode de corps, améliorant la fiabilité du système dans les environnements de commutation difficiles.
Technologie de diode rapide : Intègre une technologie de diode rapide (FD) à faible Qrr, réduisant considérablement la charge et le temps de récupération inverse pour des performances supérieures dans des applications telles que les alimentations à découpage.
Efficacité énergétique et densité de puissance : Avec des paramètres Rds(on) et Qg de pointe, l'IPB117N20NFD atteint une efficacité et une densité de puissance système plus élevées, permettant aux concepteurs de réduire l'encombrement du produit.
Conformité environnementale et sécurité : Conforme à la directive RoHS et sans halogène, l'IPB117N20NFD répond aux exigences environnementales strictes pour l'électronique moderne tout en offrant d'excellentes caractéristiques de température et une stabilité à long terme.
Scénarios d'application
L' IPB117N20NFD trouve une large application dans de nombreux domaines, notamment :
Équipement de télécommunications : Fournissant une gestion de l'alimentation à haut rendement.
Alimentations industrielles : Assurant une alimentation stable.
Amplificateurs audio de classe D : Améliorant les performances des appareils audio.
Contrôle moteur : Régulant précisément le fonctionnement du moteur.
Onduleurs CC-CA : Permettant une conversion de puissance efficace.
Type de boîtier
L' IPB117N20NFD utilise un boîtier PG-TO 263-3, offrant des avantages en termes de gain de place ainsi qu'une facilité d'installation et de manipulation.
Résumé
Le MOSFET de puissance Infineon IPB117N20NFD fourni par Mingjiada Electronics représente un MOSFET à canal N de 200V haute performance et polyvalent. Sa faible résistance à l'état passant, sa vitesse de commutation élevée et sa faible tension de mise en marche offrent une solution fiable pour diverses applications haute puissance. Que ce soit dans les télécommunications, les alimentations industrielles ou les équipements audio, l'IPB117N20NFD répond aux exigences des utilisateurs en matière de MOSFET de puissance haute performance.
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