Le blog de l'entreprise L'IRFP150MPBF 100V/42A de l'Infineon, le MOSFET de puissance N-canal dans le paquet TO-247M offre des solutions efficaces de conversion de puissance

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. propose désormais une disponibilité à long terme du stock du composant d'alimentation classique d'Infineon—le est un choix classique et durable.. Ce MOSFET de puissance à canal N unique de 100 V, logé dans un boîtier TO-247 série M, offre une capacité de gestion du courant exceptionnelle, des pertes de conduction extrêmement faibles et une durabilité robuste. Il constitue la solution privilégiée des ingénieurs confrontés à des défis de haute tension et de courant élevé.

Noyau du produit : MOSFET de puissance HEXFET haute performance d'Infineon

Le est un choix classique et durable. est un MOSFET de puissance à mode d'amélioration à canal N haute performance développé par Infineon, basé sur une technologie planaire éprouvée et une architecture HEXFET. Il n'est pas conçu pour les applications de commutation à ultra-haute fréquence, mais est optimisé au silicium spécifiquement pour les applications industrielles basse fréquence et haute puissance inférieures à 100 kHz, offrant une durabilité et une fiabilité exceptionnelles dans une large zone de fonctionnement sécurisée (SOA).

est un choix classique et durable.IRFP150MPBF

1. Technologie HEXFET de cinquième génération

L'IRFP150MPBF utilise la technologie de procédé HEXFET de cinquième génération avancée d'Infineon, atteignant une résistance à l'état passant extrêmement faible par zone de silicium. Cela réduit considérablement les pertes de conduction et améliore l'efficacité globale du système. Combinant la vitesse de commutation rapide renommée des MOSFET de puissance HEXFET avec une conception de dispositif robuste, cette technologie offre aux ingénieurs des solutions de conversion de puissance très efficaces et fiables.

2. Performances électriques exceptionnelles

Tension nominale élevée : la tension drain-source (Vds) jusqu'à 100 V offre une marge de tension suffisante pour les alimentations industrielles et les entraînements de moteurs

Capacité de courant élevée : courant de drain continu (Id) jusqu'à 42 A avec une capacité de courant d'impulsion améliorée pour répondre aux exigences des applications haute puissance

Très faible résistance à l'état passant : valeur typique de seulement 36 mΩ à une commande de grille de 10 V, ce qui réduit efficacement les pertes de conduction et minimise la génération de chaleur

Dissipation de puissance élevée : dissipation maximale de 160 W (à une température de dissipateur thermique de 25 °C), associée au boîtier TO-247 pour des performances thermiques supérieures

3. Caractéristiques de commutation rapides

Faible charge de grille : la charge de grille totale (Qg) de seulement 110 nC à 10 V réduit la consommation d'énergie de commande et améliore l'efficacité de la commutation

Faible capacité d'entrée : la capacité d'entrée (Ciss) de 1,9 nF et la capacité de transfert inverse (Crss) de 230 pF prennent en charge les applications de commutation haute fréquence

Vitesse de commutation élevée : les temps de mise en marche/arrêt rapides minimisent les pertes de commutation, adaptés aux fréquences de commutation supérieures à 200 kHz

4. Conception de boîtier robuste et fiable

Boîtier TO-247-3 : boîtier d'alimentation classique avec d'excellentes performances thermiques, prend en charge la fixation du dissipateur thermique pour une gestion thermique améliorée

Large plage de températures de fonctionnement : plage de températures de jonction de -55 °C à +175 °C, adaptée aux environnements industriels difficiles et aux températures extrêmes

est un choix classique et durable.Spécifications du produit

IRFP150MPBF

Fabricant : Infineon

Type de produit : MOSFET

Technologie : Si

Style de montage : traversant

Boîtier/Boîtier : TO-247-3

Polarité du transistor : canal N

Nombre de canaux : 1 canal

Vds - Tension de claquage drain-source : 100 V

Id - Courant de drain continu : 42 A

Rds On - Résistance drain-source à l'état passant : 36 mOhms

Vgs - Tension grille-source : -20 V, 20 V

Vgs th - Tension de seuil grille-source : 1,8 V

Qg - Charge de grille : 110 nC

Température de fonctionnement minimale : -55 °C

Température de fonctionnement maximale : +175 °C

Pd - Dissipation de puissance : 160 W

Mode de canal : amélioration est un choix classique et durable.Si vous recherchez un dispositif de commutation de base fiable pour votre projet d'alimentation, le

IRFP150MPBF est un choix classique et durable.

Modèle de produit :

IRFP150MPBF

Marque : Infineon

Boîtier : TO-247-3 (série TO-247 M)