InfinionLe nombre de personnes concernées par l'enquête est déterminé en fonction de l'indicateur de risque.Transistors OptiMOSTM 6 MOSFET à N-canal
Description du produitLe nombre de personnes concernées par l'enquête est déterminé en fonction de l'indicateur de risque.
IQE057N10NM6CGSC est un transistor à 6 MOSFETs OptiMOSTM à canal N de 100 V.
Les spécifications deLe nombre de personnes concernées par l'enquête est déterminé en fonction de l'indicateur de risque.
Polarité du transistor:N-canal
Nombre de chaînes: 1 chaîne
Vds - Tension de rupture de la source de vidange:100 V
Id - courant de vidange continu:98 A
Rds On - Résistance de la source de drainage:5.7 mOhms
Vgs - Tensions de la source de sortie:- 20 V, + 20 V
Vgs th - Voltage de seuil de la porte-source:3.3 V
Qg - Charge à la porte:26 nC
Température de fonctionnement minimale: - 55 °C
Température de fonctionnement maximale: + 175 °C
Pd - Dissipation de puissance: 125 W
Mode de diffusion: amélioration
Temps de chute:4.6 ns
Type de produit:MOSFET
Temps de montée: 1,9 s
Temps de retard typique d'arrêt:12 ns
Temps de retard typique d'allumage:5.6 ns
Caractéristiques duLe nombre de personnes concernées par l'enquête est déterminé en fonction de l'indicateur de risque.
N-canal, niveau normal
Rps très basse résistance à l'allumage (allumage)
Excellente charge de porte X produit Ros ((on) (FOM)
Charge de récupération inverse très faible (Qr)
Rating d'énergie d'avalanche élevé
Température de fonctionnement de 175°C
Optimisé pour la commutation à haute fréquence et la rectification synchrone
Plaquage au plomb sans Pb; conforme à la réglementation RoHS
Ne contenant pas d'halogène conformément à la norme IEC 61249-2-21
MSL 1 classé selon J-STD-020
Les grandes lignes du paquetLe nombre de personnes concernées par l'enquête est déterminé en fonction de l'indicateur de risque.
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