Infineon IPW65R110CFD Transistors MOSFET de puissance à canal N CoolMOS™ 650V
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., en tant que fournisseur renommé de composants électroniques, propose désormais l'Infineon IPW65R110CFD transistor MOSFET de puissance à canal N CoolMOS™ 650V. Ce produit représente la deuxième génération de MOSFET haute tension leader du marché d'Infineon, offrant des performances et une fiabilité exceptionnelles qui en font un choix idéal pour les applications industrielles.
【IPW65R110CFD Aperçu du produit】
L'IPW65R110CFD représente la deuxième génération de MOSFET haute tension CoolMOS™ d'Infineon, utilisant une technologie 650V avancée avec une diode de corps rapide intégrée. Ce dispositif succède à la technologie CFD 600V, offrant de nouvelles améliorations en termes d'efficacité énergétique.
La technologie CoolMOS™ est basée sur le principe révolutionnaire de la Super-Jonction, transcendant les limites des MOSFET de puissance conventionnels. Faisant partie de la série CFD2, l'IPW65R110CFD hérite non seulement du haut rendement de la gamme CoolMOS™, mais présente également des optimisations sur plusieurs paramètres clés.
Conçu pour offrir une densité de puissance plus élevée et des performances de commutation supérieures, l'IPW65R110CFD offre une compétitivité significativement meilleure que les produits concurrents grâce à son comportement de commutation plus doux et à ses caractéristiques d'interférence électromagnétique améliorées. Ces attributs facilitent l'intégration de la conception tout en offrant un prix plus compétitif.
【Caractéristiques clés et paramètres de performance de l'IPW65R110CFD】
L'IPW65R110CFD possède plusieurs paramètres caractéristiques impressionnants qui déterminent directement ses performances exceptionnelles dans diverses applications :
Ce MOSFET présente une tension de claquage drain-source (VDS) allant jusqu'à 650 V, offrant une marge de sécurité suffisante. À 25 °C, le courant de drain continu (ID) atteint un maximum de 31,2 A, tandis que le courant de drain pulsé (IDM) culmine à 99,6 A.
Sa résistance drain-source à l'état passant maximale (RDS(on)) est de 110 mΩ (testée à une tension de grille de 10 V), avec des valeurs typiques encore plus faibles. Cela se traduit par une réduction des pertes par conduction et une amélioration de l'efficacité énergétique.
L'IPW65R110CFD utilise un boîtier TO-247 avec une charge de grille typique (Qg) de 118 nC (@10 V). Cette faible charge de grille réduit considérablement les pertes de commutation. La dissipation de puissance totale (Ptot) atteint jusqu'à 277,8 W, démontrant une capacité de gestion de puissance exceptionnelle.
L'IPW65R110CFD intègre également une diode de corps ultra-rapide avec une charge de récupération inverse extrêmement faible (Qrr), ce qui lui permet de limiter le dépassement de tension lors de la commutation dure et d'améliorer ainsi la fiabilité du système.
【IPW65R110CFD Caractéristiques du produit】
L'IPW65R110CFD utilise la technologie CoolMOS™ CFD2 avancée d'Infineon avec une diode de corps rapide intégrée, offrant des améliorations significatives de l'efficacité par rapport aux générations précédentes.
Les caractéristiques clés incluent :
Capacité haute tension : la tension de claquage drain-source (VDS) de 650 V offre une marge de conception supplémentaire.
Faible résistance à l'état passant : RDS(on) maximum de 110 mΩ (à 10 V VGS) réduit efficacement les pertes par conduction.
Capacité de gestion de courant élevée : courant de drain continu (ID) jusqu'à 31,2 A, avec un courant pulsé (IDpuls) atteignant 99,6 A.
Performances de commutation rapides : les pertes de commutation sont considérablement réduites grâce à une faible charge de grille (Qg de seulement 118 nC) et à une faible charge de récupération inverse (Qrr).
Caractéristiques thermiques supérieures : dissipation de puissance maximale de 277,8 W avec une résistance thermique (RthJC) aussi faible que 0,45 K/W. Utilise le boîtier TO-247 classique pour une gestion thermique simple.
【IPW65R110CFD Principaux avantages】
L'IPW65R110CFD transcende un MOSFET standard, offrant de multiples avantages de conception :
Comportement de commutation plus doux et performances supérieures en matière d'interférences électromagnétiques (EMI), offrant des avantages distincts par rapport aux solutions concurrentes.
Faible Qrr lors de la commutation répétitive de la diode de corps, réduisant efficacement les pertes de commutation.
Capacité d'auto-limitation di/dt et dv/dt, améliorant la fiabilité du système.
Qg considérablement réduit par rapport à la technologie CFD 600 V, avec un comportement de commutation amélioré et un prix plus compétitif.
【IPW65R110CFD Domaines d'application】
L'IPW65R110CFD convient à diverses applications haute puissance et à haut rendement :
Au sein de l'infrastructure de communication, telle que les stations de base cellulaires, son haut rendement contribue à réduire les coûts d'exploitation et à améliorer la fiabilité du système.
Les alimentations de serveurs représentent un autre domaine d'application critique, où les demandes de puissance croissantes des centres de données créent un besoin urgent d'une conversion de puissance efficace.
Dans les secteurs des énergies renouvelables, tels que les onduleurs solaires, la capacité haute tension et l'efficacité de l'IPW65R110CFD en font un choix idéal.
L'infrastructure de recharge des véhicules électriques, en particulier les stations de recharge rapide, bénéficie également de la capacité de gestion de puissance et de l'efficacité élevées de ce dispositif.
De plus, il peut être utilisé dans des applications telles que les ballasts de lampes HID, l'éclairage LED et les solutions de mobilité électrique.
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