InfineonLes données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.Transistors MOSFET à puissance N-canal CoolMOSTM
La société Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. a été créée en Chine par le gouvernement chinois.En tant que distributeur indépendant de composants électroniques de renommée mondiale, il fournit des produits originauxLes données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.Les transistors de puissance de la série CoolMOSTM CFD2. Ce MOSFET à canal N de 650 V utilise une technologie de superjonction avancée, offrant des performances exceptionnelles dans les applications haute tension.
Je ne sais pas.Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.Vue d'ensemble du produit et points saillants techniques
L'IPL65R165CFD est un MOSFET de puissance à canal N 650V d'Infineon Technologies utilisant la technologie avancée CoolMOSTM CFD2 (diode rapide de deuxième génération).ce dispositif permet d'améliorer encore l'efficacité énergétique.
En tant que MOSFET à superjonction, leLes données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.intègre une diode de carrosserie rapide, améliorant considérablement les performances de commutation et la fiabilité opérationnelle.il offre un comportement de commutation plus doux et des performances d'interférence électromagnétique (EMI) supérieures, ce qui est particulièrement crucial dans les environnements électroniques complexes.
LeLes données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.utilise un pack PG-VSON-4 (également connu sous le nom de 4-PowerTSFN ou VSON-4-EP), mesurant 8,1x8,1 mm. Convient pour la technologie de montage en surface, il offre une excellente dissipation thermique et une stabilité mécanique.
¢ Paramètres de performance clés détaillésLes données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.Je ne sais pas.
Les paramètres de performance de l'IPL65R165CFD démontrent ses avantages dans les applications de commutation d'alimentation:
Caractéristiques de la tension et du courant: le dispositif est conçu pour une tension de sortie (Vdss) de 650 V, offrant une marge de sécurité supérieure à celle des appareils communs de 600 V.le courant de vidange continu (Id) atteint 21.3A, lui permettant de gérer une puissance considérable.
Résistance d'allumage: à une tension d'entraînement de la porte de 10 V et à un courant d'essai de 9,3 A, leLes données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.Cette faible résistance se traduit directement par une réduction des pertes de conduction, améliorant ainsi l'efficacité énergétique globale du système.
Caractéristiques de commutation:Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.présente des performances de commutation exceptionnelles avec une charge de passerelle maximale (Qg) de 86 nC (@ 10 V) et une capacité d'entrée (Ciss) de 2340 pF (@ 100 V).La faible charge et la capacité de la porte permettent des vitesses de commutation plus rapides et des pertes d'entraînement réduites.
Performance thermique: l'IPL65R165CFD atteint une dissipation de puissance maximale de 195 W (Tc) et fonctionne sur une large plage de température de -40°C à +150°C,le rendant adapté à divers environnements de fonctionnement difficiles.
Je ne sais pas.Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.Les innovations techniques et structurelles
La technologie CoolMOSTM CFD2 utilisée dans l'IPL65R165CFD offre de multiples innovations:
Diode de corps rapide intégrée: Par rapport aux MOSFET conventionnels, la technologie CFD2 intègre une diode de corps rapide avec une faible charge de récupération inverse (Qrr) lors de commutations répétées de diode de corps.Cela réduit considérablement les pertes de changement, ce qui le rend particulièrement adapté aux applications de topologie résonnante.
Autodéfinition di/dt et dv/dt:Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.possède des capacités inhérentes de limitation du débit de courant et de tension. Cela aide à limiter le dépassement de tension dans les circuits pratiques,réduire la dépendance aux circuits de tamponnage externes et simplifier la conception du système.
Faible charge de sortie (Qoss): la caractéristique de faible charge de sortie minimise le temps de retard de commutation et augmente le potentiel de fréquence de commutation. Cela permet aux concepteurs d'utiliser des composants magnétiques plus petits,augmentant ainsi la densité de puissance.
Réduction de la vitesse de répartition des RDS: la technologie CFD2 permet une réduction de la vitesse entre les valeurs de résistance maximale et typique, ce qui garantit une plus grande cohérence des paramètres dans la production réelle.Cela améliore la prévisibilité et la fiabilité de la conception du système.
Je ne sais pas.Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.Domaines d'application et avantages de la conception
L'IPL65R165CFD est adapté à diverses applications exigeant une efficacité et une fiabilité élevées:
Infrastructure de communication: serveurs, systèmes d'alimentation en télécommunications
Énergie renouvelable: onduleurs solaires
Applications industrielles: ballasts de lampes HID, régulation du moteur
Produits électroniques de consommation: conducteurs d'éclairage LED
Mobilité électrique: recharge de batterie, convertisseurs CC/DC
Dans ces applications, les caractéristiques de commutation rapide et les faibles pertes de commutation de l'IPL65R165CFD permettent aux systèmes de fonctionner à des fréquences plus élevées.Cela réduit la taille et le poids des composants passifs tout en augmentant la densité de puissanceSes caractéristiques EMI exceptionnelles simplifient la conception du filtre, ce qui facilite le respect des normes strictes de compatibilité électromagnétique.
Pour les concepteurs d'alimentation, leLes données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.Les exigences relativement simples de l'entraîneur assurent une parfaite compatibilité avec les familles d'entraîneurs de porte EiceDRIVERTM 1EDN et 2EDN d'Infineon, réduisant la complexité de la conception du système.
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