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Le blog de l'entreprise Transistors MOSFET à puissance N-canal à 600 V

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La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
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Transistors MOSFET à puissance N-canal à 600 V
Dernières nouvelles de l'entreprise Transistors MOSFET à puissance N-canal à 600 V

InfinionLe nombre d'unités utilisées est déterminé en fonction de l'indicateur.Transistors MOSFET à puissance N-canal de 600 V

 

Description du produitLe nombre d'unités utilisées est déterminé en fonction de l'indicateur.
Le nombre d'unités utilisées est déterminé en fonction de l'indicateur.Le MOSFET à superjonction (SJ) CoolMOSTM G7 de 600 V est combiné avec le concept innovant de refroidissement par le haut,fournissant une solution système pour les topologies de commutation à fort courant telles que PFC et une solution de haute efficacité pour les topologies LLC.

 

Spécification deLe nombre d'unités utilisées est déterminé en fonction de l'indicateur.
Polarité du transistor:N-canal
Nombre de chaînes: 1 chaîne
Vds - Voltage de rupture de la source de vidange:600 V
Id - courant de vidange continu:47 A
Rds On - Résistance de la source de vidange: 50 mOhms
Vgs - Tension de la source de la porte:- 20 V, + 20 V
Vgs th - Voltage de seuil de la porte-source:3 V
Qg - Charge à la porte:68 nC
Température minimale de fonctionnement: - 55 °C
Température de fonctionnement maximale: + 150 C
Pd - Dissipation de puissance: 288 W
Mode de diffusion: amélioration
Configuration:unique
Temps de chute:3 min
Type de produit:MOSFET
Temps de montée: 6 s
Temps de retard typique d'arrêt: 72 ns
Temps de retard typique d'allumage:22 ms
Poids unitaire:763.560 mg

 

CaractéristiquesLe nombre d'unités utilisées est déterminé en fonction de l'indicateur.
Donne le meilleur de sa catégorie FOM RDS ((on) x Eoss et RDS ((on) x Qg
Concept innovant de refroidissement du côté supérieur
Configuration de la source en 4e épingle Kelvin et faible inductance de la source parasitaire
Capacité TCOB de >> 2.000 cycles, conforme à la norme MSL1 et totalement exempt de Pb

 

Les avantages deLe nombre d'unités utilisées est déterminé en fonction de l'indicateur.
Permettre la plus grande efficacité énergétique
Le découplage thermique de la carte et du semi-conducteur permet de surmonter les limites thermiques des PCB
L'inductivité réduite de la source parasitaire améliore l'efficacité et la facilité d'utilisation
Permet des solutions à plus forte densité de puissance
Dépasser les normes de qualité les plus élevées

 

Applications deLe nombre d'unités utilisées est déterminé en fonction de l'indicateur.
Télécommunications
Le serveur
Écran solaire
Puissance du PC
Les SMPS
Solutions d'onduleurs à chaîne à une phase
Distribution électrique de 48 V
Les sources d'alimentation des rails DIN
Électrolyse à l'hydrogène
Infrastructures de télécommunications

 

Les grandes lignes du paquet

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Téléphone: 86-13410018555

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