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Le blog de l'entreprise Transistor MOSFET de puissance N-channel CoolMOS™ 700V Infineon IPD70R600P7S

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La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
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Transistor MOSFET de puissance N-channel CoolMOS™ 700V Infineon IPD70R600P7S
Dernières nouvelles de l'entreprise Transistor MOSFET de puissance N-channel CoolMOS™ 700V Infineon IPD70R600P7S

Infineon IPD70R600P7S Transistor MOSFET de puissance N-channel CoolMOS™ 700V

 

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., en tant que fournisseur professionnel de composants électroniques, fournit des MOSFET de puissance IPD70R600P7S authentiques.

 

Le IPD70R600P7S MOSFET de puissance 700V CoolMOS™ P7, un transistor à canal N utilisant la technologie super-jonction, offre des performances de commutation exceptionnelles et un coût système optimisé, ce qui en fait un choix idéal pour une conversion de puissance efficace dans l'électronique grand public et les applications industrielles.

 

L'IPD70R600P7S hérite non seulement des caractéristiques à faibles pertes de la série CoolMOS, mais réalise également des percées significatives en matière de facilité d'utilisation et d'intégration système, offrant des solutions exceptionnelles pour des applications telles que les chargeurs, les adaptateurs et les systèmes d'éclairage.

 

IPD70R600P7S Aperçu du produit】

La série Infineon CoolMOS™ P7 représente une avancée significative dans la technologie des MOSFET de puissance haute tension. Utilisant la technologie super-jonction, pionnière d'Infineon, cette série est spécifiquement optimisée pour les applications sensibles aux coûts sur le marché de l'électronique grand public.

 

En tant que composant 700V de cette série, l'IPD70R600P7S trouve un excellent équilibre entre rentabilité et facilité d'utilisation.

 

Le IPD70R600P7S plateforme 700V CoolMOS P7 cible les applications sensibles aux coûts telles que les chargeurs de téléphones portables, les adaptateurs secteur, l'éclairage LED et les alimentations de télévision.

 

Ces applications exigent des dispositifs de conversion de puissance capables de fonctionner à des fréquences de commutation élevées tout en maintenant une faible élévation de température et une grande fiabilité.

 

La technologie CoolMOS P7 atteint les normes d'efficacité les plus élevées, prenant en charge les conceptions à haute densité de puissance pour aider les ingénieurs à réaliser des solutions d'alimentation plus minces et plus compactes.

 

IPD70R600P7S Paramètres clés et caractéristiques électriques】

L'IPD70R600P7S possède plusieurs caractéristiques électriques impressionnantes qui le distinguent de ses pairs.

 

Logé dans un boîtier TO-252, l'IPD70R600P7S occupe un espace minimal sur le circuit imprimé, ce qui le rend adapté aux conceptions de cartes de circuits imprimés à haute densité.

 

Tensions et courants nominaux : Avec une tension drain-source (Vdss) allant jusqu'à 700V et un courant de drain continu (Id) de 8,5A, il s'adapte à divers environnements d'application haute tension.

 

Résistance à l'état passant : Dans des conditions de test de 10V de tension grille-source et de 1,8A, la résistance à l'état passant (RDS(on)) n'est que de 600mΩ, réduisant efficacement les pertes par conduction.

 

Caractéristiques de la charge de grille : Une charge de grille (Qg) de 3,7 nC, combinée à une faible résistance à l'état passant, permet d'obtenir un équilibre optimal entre les performances de commutation et les pertes par conduction.

 

Plage de température de fonctionnement : Une large plage de température de fonctionnement de -40°C à +150°C assure un fonctionnement stable du dispositif dans divers environnements difficiles.

 

Le IPD70R600P7S MOSFET présente une plage de tension grille-source (Vgs) de ±16V, offrant une marge d'attaque suffisante. Il intègre également une diode de protection ESD intégrée, améliorant la fiabilité du système et le rendement de la production.

 

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IPD70R600P7S Caractéristiques structurelles et innovations techniques】

L'IPD70R600P7S utilise la technologie CoolMOS™ de septième génération d'Infineon, utilisant une structure super-jonction pour surmonter les limitations de performance des MOSFET conventionnels.

 

La technologie super-jonction permet d'obtenir des concentrations de dopage plus élevées et une résistance à l'état passant plus faible en introduisant des piliers de type p et de type n entrelacés dans la région de dérive, tout en maintenant une tension de claquage élevée.

 

Par rapport aux générations précédentes, la série P7 présente des paramètres de dispositif méticuleusement optimisés : Eoss et Qg sont réduits de plus de 50 %, tandis que Ciss et Coss sont également abaissés.

 

Cette optimisation réduit considérablement les pertes de commutation, permettant des performances supérieures dans les applications de commutation à haute fréquence.

 

L'IPD70R600P7S intègre en outre une diode Zener pour la protection contre les décharges électrostatiques (ESD), avec une tolérance ESD supérieure à 2kV. Cela réduit considérablement les défaillances liées à l'ESD pendant la production, améliorant ainsi le rendement de la fabrication.

 

IPD70R600P7S Avantages de performance】

Très haute efficacité énergétique

Bénéficiant d'une résistance à l'état passant et d'une charge de grille exceptionnellement faibles, l'IPD70R600P7S atteint des pertes ultra-faibles, répondant aux normes d'efficacité énergétique les plus strictes au monde, telles que Energy Star et la directive européenne sur l'écoconception.

 

Performances thermiques supérieures

Avec une puissance de dissipation de 43,1W et des caractéristiques thermiques exceptionnelles, l'IPD70R600P7S permet un fonctionnement continu dans des environnements à haute température, réduisant les exigences thermiques et simplifiant la conception de la gestion thermique.

 

Haute densité de puissance

La capacité de commutation rapide et les caractéristiques à faibles pertes permettent aux conceptions d'alimentation de fonctionner à des fréquences de commutation plus élevées, réduisant considérablement la taille des composants passifs tels que les transformateurs et les filtres.

 

Optimisation des coûts du système

Malgré ses performances exceptionnelles, la série CoolMOS P7 maintient une structure de coûts compétitive. En réduisant les coûts des composants périphériques et de la gestion thermique, elle réduit les dépenses globales de la nomenclature du système.

 

IPD70R600P7S Scénarios d'application typiques】

L'IPD70R600P7S convient à divers scénarios de conversion de puissance, démontrant des performances exceptionnelles, en particulier dans les topologies flyback.

 

Chargeurs et adaptateurs

L'IPD70R600P7S est idéal pour les produits d'alimentation grand public tels que les chargeurs de smartphones et les adaptateurs d'alimentation pour ordinateurs portables. Sa haute fréquence de commutation permet des conceptions plus compactes et rationalisées.

 

Pilotes d'éclairage LED

Dans les pilotes de rétroéclairage de téléviseurs LED et les alimentations d'éclairage LED à usage général, le rendement élevé et les excellentes performances thermiques de l'IPD70R600P7S garantissent la fiabilité à long terme du système.

 

SMPS audio

L'IPD70R600P7S convient aux alimentations à découpage dans les équipements audio professionnels et les systèmes audio domestiques, où ses caractéristiques à faible bruit garantissent l'intégrité du signal audio.

 

Alimentations auxiliaires

Le IPD70R600P7S peut être utilisé dans les circuits d'alimentation auxiliaires des alimentations industrielles, fournissant une alimentation stable et fiable aux circuits de commande et aux systèmes de surveillance.

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