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Le blog de l'entreprise Transistors MOSFET automobiles à canal P OptiMOSTM-P2

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La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
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Transistors MOSFET automobiles à canal P OptiMOSTM-P2
Dernières nouvelles de l'entreprise Transistors MOSFET automobiles à canal P OptiMOSTM-P2

InfineonLe nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:Transistors MOSFET automobiles à canal P OptiMOSTM-P2

 

La société Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. a été créée en Chine en 2000.En tant que distributeur mondial de composants électroniques bien connu, spécialisé dans la fourniture d'InfineonLe nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:Transistors MOSFET automobiles OptiMOSTM-P2 à canal P. Conçus pour les applications électroniques automobiles, ces MOSFET haute performance présentent une efficacité élevée, une faible perte et une fiabilité élevée.les rendant idéales pour des applications telles que la gestion de l'alimentation des véhicules électriques, les systèmes de gestion des batteries (BMS) et les chargeurs embarqués.

 

Vue d'ensemble du produitLe nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
L'IPD50P04P4L-11 est un MOSFET de puissance P-canal de la famille OptiMOSTM-P2 d'Infineon, fabriqué à l'aide d'une technologie de tranchée avancée avec les caractéristiques principales suivantes:

 

Paramètres de tension et de courant: 40 V de tension résistante, 50 A de courant de vidange continu
Package: Package PG-TO252-3 (DPAK), adapté à la conception de circuits imprimés à haute densité
Résistance en marche: très faibles caractéristiques RDS ((on), réduisant considérablement les pertes en marche.
Performance de commutation: charge de la passerelle (Qg) et capacité de sortie (Coss) optimisées pour une commutation à haut rendement
Plage de température: large plage de température de fonctionnement pour les applications automobiles

 

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Avantages du produitLe nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:

 

1Excellente performance électrique
L'IPD50P04P4L-11 adopte la technologie OptiMOSTM-P2 avancée d'Infineon, qui dispose de:
Résistance d'allumage inférieure (RDS ((on)) pour une perte de puissance réduite
Capacité de commutation à fréquence plus élevée pour une meilleure efficacité du système
Caractéristiques optimisées des diodes de carrosserie pour une meilleure performance de récupération inverse
Performance thermique améliorée pour une densité de puissance accrue

 

2. fiabilité de qualité automobile
En tant que MOSFET de qualité automobile, l'IPD50P04P4L-11 répond aux normes électroniques automobiles les plus strictes:
Certification AEC-Q101 pour assurer la fiabilité dans des environnements difficiles
Excellente résistance aux vibrations et aux chocs
Capacité à haute température pour le compartiment moteur et autres environnements à haute température
Garantie d'approvisionnement à long terme pour répondre aux exigences du cycle de vie des produits automobiles

 

3. Large gamme d'applications
L'IPD50P04P4L-11 est adapté à une variété de systèmes électroniques automobiles:
Véhicules électriques/hybrides: chargeurs embarqués (OBC), convertisseurs CC-DC, systèmes de gestion des batteries (BMS).
Électronique automobile traditionnelle: direction assistée électrique (EPS), système d'injection de carburant, pompe à eau/commande de pompe à carburant
L'électronique du corps: serrures de porte intelligentes, réglage du siège, contrôle des fenêtres
Systèmes d'infodivertissement: gestion de l'énergie, amplificateurs audio

 

Paramètres techniques deLe nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
Polarité du transistor:P-Channel
Nombre de chaînes: 1 chaîne
Vds - Voltage de rupture de la source de drainage:40 V
Id - courant de vidange continu:50 A
Rds On - Résistance à la source de drainage:17.2 mOhms
Vgs - Tension de la source de sortie:- 16 V, + 5 V
Vgs th - tension de seuil de la porte-source:1.2 V
Qg - Charge à la porte:45 nC
Température minimale de fonctionnement: - 55 °C
Température de fonctionnement maximale: + 175 C
Pd - Dissipation de puissance:58 W
Temps de chute:39 ns
La hauteur:2.3 mm
Longueur:6.5 mm
Type de produit:MOSFET
Temps de montée:9 ns
Temps de retard typique d'arrêt:46 ns
Temps de retard typique d'allumage:12 ms
Largeur:6.22 mm
Poids unitaire:330 mg

 

Les solutions d'applicationLe nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:


1Système de gestion de l'énergie automobile
Les applications typiques de l'IPD50P04P4L-11 dans les systèmes de gestion de l'énergie des automobiles sont les suivantes:

Commutation de charge: pour contrôler l'allumage/arrêt des charges à fort courant
Protection contre la polarité inverse: empêche la connexion inverse de la batterie des circuits endommagés
Gestion du chemin d'alimentation: commutation transparente dans plusieurs systèmes d'alimentation
Circuits de précharge: limite le courant de charge du condensateur et protège les contactors

 

2. Applications de conduite à moteur
Avec sa capacité de courant élevée et sa faible résistance, l'IPD50P04P4L-11 est idéalement adapté pour une utilisation dans:

Moteurs à courant continu de petite taille
Contrôle du moteur pas à pas
Appareils à moteur à ventilateur/pompes
Appareils électriques pour siège/fenêtre

 

3. Topologies de ponts H
Dans les circuits H-bridge qui nécessitent un contrôle bidirectionnel, l'IPD50P04P4L-11 peut être utilisé avec des MOSFET N-canal pour atteindre:

Contrôle avant et arrière du moteur CC
Appareil de conduite de soupape électronique
Autres applications nécessitant un courant bidirectionnel

Temps de bar : 2025-04-18 13:59:59 >> Liste de nouvelles
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Téléphone: 86-13410018555

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