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Le blog de l'entreprise Transistor MOSFET à puissances N-canal de l'Infineon IPA60R060P7 CoolMOSTM P7

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La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
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Transistor MOSFET à puissances N-canal de l'Infineon IPA60R060P7 CoolMOSTM P7
Dernières nouvelles de l'entreprise Transistor MOSFET à puissances N-canal de l'Infineon IPA60R060P7 CoolMOSTM P7

InfineonLe nombre d'équipementsTransistor MOSFET à alimentation par canal N CoolMOSTM P7

 

La société Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. a été créée en Chine par le gouvernement chinois.En tant que distributeur de composants électroniques de renommée mondiale, il fournit à Infineon desLe nombre d'équipementsLes transistors MOSFET de puissance CoolMOSTM P7 N-channel. Ce MOSFET utilise une technologie avancée de Super Junction (SJ) de 7e génération,fournissant une solution idéale pour les applications d'alimentation par commutation haute performance.

 

Je ne sais pas.Le nombre d'équipementsVue d'ensemble du produit

L'IPA60R060P7 est un MOSFET de puissance N-canal logé dans un ensemble TO-220-3. Cet appareil dispose d'une tension de source de drainage de 600V (Vdss) et d'un courant de drainage continu de 48A (@ 25°C).

 

La résistance d'allumage maximale (RDS ((on)) de l'IPA60R060P7 est de 60 mΩ (à une tension d'entraînement de 10 V et dans des conditions d'essai de 15,9 A).Cette faible résistance réduit efficacement les pertes de conduction et améliore l'efficacité du système.

 

LeLe nombre d'équipementsprésente une charge de porte (Qg) de seulement 67 nC (@ 10V) et une capacité d'entrée (Ciss) de 2895 pF (@ 400V).Ces faibles valeurs de charge et de capacité de la passerelle se traduisent par une réduction des pertes de commutation et une réduction des besoins en entraînement, permettant des performances exceptionnelles dans les applications de commutation à haute fréquence.

 

L'IPA60R060P7 prend en charge une tension maximale de la porte-source (Vgs) de ±20V, avec une tension de seuil (Vgs(th)) allant de 3V à 4V (typiquement 3,5V).de -55°C à 150°C, le rend adapté à des applications dans diverses conditions environnementales.

 

Les avantages techniques de CoolMOSTM P7

Le CoolMOSTM P7 d'Infineon, successeur de la série CoolMOSTM P6 de 600 V, réalise un équilibre parfait entre une efficacité élevée et une facilité d'utilisation au cours de son processus de conception.

 

La plateforme CoolMOSTM de 7e génération offre le meilleur RonxA de sa catégorie et une charge de passerelle (QG) intrinsèquement faible, garantissant une efficacité du système élevée.Les charges de port Qg et Eoss sont réduites de 30 à 60%, ce qui réduit considérablement les pertes de transmission et de commutation.

 

dernières nouvelles de l'entreprise Transistor MOSFET à puissances N-canal de l'Infineon IPA60R060P7 CoolMOSTM P7  0

 

Je ne sais pas.Le nombre d'équipementsAvantages techniques

L'IPA60R060P7 intègre une diode ESD (à partir de 180mΩ et supérieure à RDS(on)) et une résistance de porte (RG), améliorant la robustesse du dispositif.Le RG intégré réduit la sensibilité du MOSFET à l'oscillation, aide à prévenir les défaillances de l'ESD et améliore la facilité d'utilisation dans les environnements de fabrication.

 

LeLe nombre d'équipementsLe MOSFET utilise une conception de diode de corps robuste, démontrant une excellente robustesse dans la commutation de diode de corps dans les topologies LLC. Il convient aux topologies de commutation dure telles que PFC et LLC,ainsi que des topologies de commutation résonante.

 

1. Des performances élevées

L'IPA60R060P7 présente des indicateurs de valeur (FOM) exceptionnels, y compris RDS ((on) × Eoss et RDS ((on) × QG. Ces paramètres optimisés se traduisent directement par une plus grande efficacité du système,en particulier dans les applications de commutation à haute fréquence.

 

2. Utilisabilité améliorée

L'IPA60R060P7 intègre plusieurs fonctionnalités améliorant considérablement la facilité de conception:

 

Diode de protection ESD intégrée: les modèles à partir de 180mN et supérieurs à RDS (on) s disposent d'une diode ESD intégrée, empêchant les pannes ESD dans les environnements de fabrication.

Résistance de porte intégrée (RG): réduit la sensibilité du MOSFET aux oscillations.

Diode de corps robuste: permet le MOSFET pour les topologies de commutation dure telles que PFC et LLC, ainsi que les topologies de commutation résonnante,démontrant une excellente robustesse dans la communication par diode du corps dans les configurations LLC.

 

3Performance thermique et fiabilité

L'IPA60R060P7 présente des caractéristiques thermiques exceptionnelles, atteignant une capacité de dissipation de puissance maximale de 164 W (Tc = 25 °C).Sa large plage de température de fonctionnement (-55°C à 150°C) le rend adapté à diverses conditions environnementales.

 

Je ne sais pas.Le nombre d'équipementsDomaines d'application

L'IPA60R060P7 est adapté à de multiples applications d'alimentation électrique, y compris mais sans s'y limiter:

Les fournisseurs d'alimentation pour télévision: fournissent une conversion efficace de l'alimentation pour les téléviseurs LCD et plasma.

SMPS industriel (alimentation en mode commutateur): systèmes d'alimentation pour les applications industrielles.

Serveurs et équipements de communication: répondre aux besoins en énergie des centres de données et des infrastructures de communication.

Systèmes d'éclairage: conception d'alimentation électrique pour divers appareils d'éclairage à haut rendement.

Adaptateurs et chargeurs: solutions d'adaptation de l'alimentation et de charge pour divers appareils.

 

LeLe nombre d'équipementsest également largement utilisé dans les systèmes PC Silverbox, les unités UPS (alimentation électrique ininterrompue), les applications solaires, les petits véhicules électriques légers,les scénarios de recharge des véhicules électriques à courant continu (VE).

 

Sa large applicabilité et ses performances exceptionnelles en font leLe nombre d'équipementsun choix idéal pour les applications de consommation et industrielles.

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