INFINEONIMT65R057M1H Transistors MOSFET en carbure de silicium CoolSiC™ 650V 57mΩ
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., en tant que distributeur de composants électroniques de renommée mondiale, propose le IMT65R057M1H transistor MOSFET CoolSiC™ en stock. Avec ses performances de commutation exceptionnelles, sa fiabilité exceptionnelle et sa large adaptabilité aux applications, il ouvre de nouvelles possibilités pour la conception de systèmes d'électronique de puissance modernes.
【IMT65R057M1H Aperçu du produit】
L'IMT65R057M1H représente une offre phare de la série de MOSFET CoolSiC™ d'Infineon. Construit en utilisant une technologie de semi-conducteurs à tranchées avancée, il est optimisé pour minimiser les pertes d'application et maximiser la fiabilité opérationnelle.
Ce IMT65R057M1H MOSFET en carbure de silicium à canal N présente une tension drain-source (Vds) de 650 V et un courant de drain continu (Id) de 44 A, avec une résistance à l'état passant de seulement 0,057 ohms. Sa faible résistance à l'état passant et sa capacité de courant élevée permettent une amélioration de 3 à 5 % de l'efficacité du système, ce qui prolonge considérablement l'autonomie des véhicules électriques.
Logé dans un boîtier HSOF-8, l'IMT65R057M1H prend en charge des températures de fonctionnement allant jusqu'à 175°C, simplifiant les systèmes de gestion thermique et réduisant les coûts tout en répondant aux exigences de haute fiabilité dans des environnements extrêmes.
【Avantages et innovations de la technologie au carbure de silicium】
Comparé aux dispositifs traditionnels à base de silicium, le matériau carbure de silicium possède une large caractéristique de bande interdite, avec une largeur de bande interdite environ trois fois supérieure à celle du silicium et une résistance du champ électrique critique environ dix fois supérieure.
Cela permet aux MOSFET en SiC d'utiliser des régions de dérive plus minces et plus fortement dopées, réduisant considérablement la résistance à l'état passant. Contrairement aux dispositifs IGBT bipolaires, les MOSFET en SiC sont unipolaires, éliminant les courants de queue à l'arrêt et atteignant jusqu'à 80 % de pertes de commutation en moins par rapport aux IGBT en silicium.
Les MOSFET CoolSiC d'Infineon utilisent une structure de grille à tranchée asymétrique, tirant parti des propriétés anisotropes des cristaux de SiC. Le plan cristallin utilisé pour le canal est orienté à un angle spécifique par rapport à l'axe vertical, minimisant la densité des états d'interface et les pièges de la couche d'oxyde pour assurer une mobilité maximale des porteurs de canal.
【IMT65R057M1H Conception de la fiabilité et caractéristiques de performance】
L'IMT65R057M1H utilise la technologie de puce M1H CoolSiC améliorée d'Infineon, améliorant considérablement la résistance drain-source à l'état passant, élargissant la plage de tension grille-source et améliorant la flexibilité de commande.
La technologie M1H élargit encore la plage de tenue en tension de la grille, avec des valeurs de tension de tenue en régime permanent comprises entre -7 V et 20 V, et des valeurs de tension de tenue transitoire comprises entre -10 V et 23 V. La tension de mise en marche recommandée est de 15 à 18 V, et la tension de coupure est de -5 V à 0 V.
Le IMT65R057M1H MOSFET présente une tension de seuil élevée (environ 4,5 V), surpassant de nombreux concurrents, associée à une capacité de Miller exceptionnellement faible. Cette tension de seuil élevée supprime efficacement les phénomènes de conduction parasite, améliorant la stabilité du système.
【IMT65R057M1H Emballage et performances thermiques】
L'IMT65R057M1H utilise un boîtier HSOF-8 (également connu sous le nom de PG-HSOF-8), un boîtier à montage en surface adapté aux applications à haute densité de puissance.
L'IMT65R057M1H est conçu avec des performances thermiques exceptionnelles, supportant une température de jonction maximale de 175°C, améliorant ainsi davantage la densité de puissance. Ses caractéristiques thermiques robustes permettent un fonctionnement stable dans des environnements de fonctionnement à haute température et difficiles.
【Domaines d'application de IMT65R057M1H】
Le MOSFET en carbure de silicium IMT65R057M1H trouve une large application dans de multiples domaines de haute performance, servant de composant clé pour améliorer l'efficacité du système.
Dans le secteur des véhicules à énergie nouvelle, l'IMT65R057M1H convient aux onduleurs d'entraînement principaux, aux chargeurs embarqués (OBC) et aux convertisseurs CC-CC. Ses caractéristiques de haute fréquence de commutation et de faibles pertes améliorent l'efficacité du système, réduisent la dissipation d'énergie et prolongent l'autonomie.
Dans le secteur des énergies renouvelables, ce MOSFET IMT65R057M1H trouve une application dans les onduleurs photovoltaïques et les systèmes de stockage d'énergie. La haute fréquence de commutation et les faibles pertes du MOSFET CoolSiC™ améliorent l'efficacité de la conversion solaire, permettant des rendements du système supérieurs à 99 %.
De plus, l'IMT65R057M1H convient aux applications, notamment les alimentations industrielles, les alimentations de serveurs, les équipements de télécommunications et les alimentations sans interruption (ASI). Dans ces domaines, il réduit les exigences thermiques du système tout en augmentant la densité de puissance.
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