Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. fournit et recycle la série IMDQ75R d'Infineon de 750V CoolSiCTM MOSFETs de haute fiabilité, adaptés aux applications de serveur d'intelligence artificielle.
I. Résumé de la série IMDQ75R
La série IMDQ75R comprend les MOSFET en carbure de silicium de type tranchée CoolSiCTM G2 de deuxième génération d'Infineon.Ces dispositifs d'alimentation SMD de 750 V montés en surface de qualité industrielle utilisent le paquet de refroidissement par refroidissement de Q-DPAK et sont conçus pour les alimentations par commutation à haute densité (PSU), les convertisseurs de résonance TLC et les convertisseurs de bus intermédiaires (IBC), répondant aux défis de conception associés à l'exploitation à haute puissance, à haut courant et à haute fréquence,une gestion thermique rigoureuse et un fonctionnement ininterrompu à long terme dans les serveurs IALes appareils ont complètement passé le test de fiabilité industrielle JEDEC et la vérification de tension de rupture d'avalanche à 100%, offrant une haute efficacité,haute densité de puissance et fiabilité opérationnelle à long terme en continu, les conditions de forte charge dans les centres de données fonctionnant 24 heures sur 24, 7 jours sur 7.
Résumé des paramètres clés
- tension de rupture de la source de drainage V ((DSS): 750 V
- RDS sur résistance (allumée): typiquement 25 mΩ, maximum 31 mΩ @ Tj = 25 °C
- Courant de dégagement par impulsion I (D,pulse): 242 A
- Charge de porte Q ((G): 49 nC
- Énergie stockée dans la capacité de sortie dans des conditions de 500 V E (OSS): 18,5 μJ
- Emballage: Q-DPAK (PG-HDSOP-22) monté à la surface, refroidi par le haut
- Température de fonctionnement de la jonction: de 55 °C à 175 °C
II. Paramètres électriques et d'emballage de base de la série IMDQ75R
1- Résistance électrique à la tension et fiabilité des avalanches
tension nominale de sortie de sortie de 750 V, maintenue sur toute la plage de température de la jonction; 100% des dispositifs ont subi un test de résistance à l'avalanche,une résistance élevée aux surtensions et aux pics de tension; une tension de seuil de sortie typique de 4,5 V, combinée à un faible rapport Crss/Ciss, atténue considérablement le risque de conduction parasitaire dans les scénarios de commutation à grande vitesse,le rendant adapté aux conditions d'interférence électromagnétique sévères associées à la disposition des cartes à haute densité dans les alimentations des serveurs IAIl prend en charge une large gamme de tensions d'entraînement négatives de 7 V à 11 V, renforçant encore l'immunité du système contre les interférences.
2Excellent chiffre du mérite (FOM), réduisant les pertes globales du système
Il est basé sur le procédé CoolSiCTM de deuxième génération, qui permet d'obtenir un `RDS(on) ×Qfr` de pointe, tout en offrant d'excellentes valeurs globales de FOM pour `RDS(on) ×Qoss` et `RDS(on) ×QG`;La capacité de sortie, le stockage de l'énergie (Eoss) et la charge de la porte (Qg) ont été considérablement optimisées.Comparé aux produits de première génération, la vitesse de commutation a augmenté d'environ 25% à 30%, tandis que les pertes de commutation ont été réduites de plus de 30%.Des performances de haute efficacité sont obtenues dans les topologies à commutation dure et à commutation douce, aidant les serveurs d'alimentation de l'IA à fonctionner à des fréquences plus élevées, réduisant la taille des composants magnétiques et améliorant la densité de puissance globale.L'appareil intègre une diode intrinsèque SiC haute performance avec une charge de récupération inverse extrêmement faible, éliminant le besoin de diodes parallèles de récupération rapide supplémentaires et simplifiant la conception des composants périphériques d'alimentation.
3Conception thermique et capacité opérationnelle à long terme
Utilisant le procédé de montage de la puce liée par diffusion.XT d'Infineon et un pack Q-DPAK refroidi, l'appareil présente un parcours thermique court et une excellente résistance thermique.d'une largeur de l'ordre de 1 mm,Il peut résister à un fonctionnement continu à pleine charge 24 heures sur 24, 7 jours sur 7 dans les températures ambiantes élevées typiques des salles de serveurs d'IA.elles présentent d'excellentes caractéristiques de partage du courant, répondant aux exigences des conceptions d'expansion de l'alimentation serveur à haute puissance.séparant le circuit d'alimentation du circuit d'entraînement pour réduire l'inductivité parasitaire dans les circuits et améliorer encore la stabilité de la commutation à haute fréquence.
III. Principales caractéristiques techniques de la série IMDQ75R
1. procédé CoolSiCTM de deuxième génération, avec une amélioration de 2035% de la valeur du mérite (FOM) de l'appareil par rapport à la génération précédente; facteurs de qualité de premier plan pour R- Il est allumé.×Qnouset R- Il est allumé.×QRésultats, permettant une double optimisation des pertes en mode activation et de commutation.
2. conception de substrat de haute fiabilité, avec 100% d'essais et de dépistage des avalanches, et fiabilité des oxydes de porte rigoureusement vérifiée;la plage de tolérance de la porte négative a été étendue pour faire face aux perturbations de tension causées par des transitoires de charge fréquents dans les sources d'alimentation AI et des surtensions de pointe instantanées dans les GPU, réduisant ainsi le risque de défaillance du dispositif.
3. emballage Q-DPAK refroidi à la vapeur; La technologie de liaison par diffusion.XT réduit la résistance thermique et améliore l'efficacité de la dissipation thermique; le facteur de forme SMD facilite la mise en page à haute densité sur les cartes d'alimentation,permettant aux sources d'alimentation des serveurs d'IA d'atteindre des conceptions de densité de puissance ultra-haute de > 100 W/in3 et de réduire l'empreinte globale du système.
4Excellente compatibilité à haute fréquence, avec des pertes de commutation peu affectées par la température, permettant une augmentation significative des fréquences de fonctionnement des PFC et LLC.Cela réduit la taille des composants magnétiques tels que les transformateurs et les inducteurs, réduisant ainsi la facture de matériaux pour les alimentations des serveurs et le poids global du système.
5. fonctionnement parallèle convivial, avec des broches de source d'entraînement indépendantes qui suppriment les déséquilibres de courant pendant le fonctionnement parallèle,permettant de connecter facilement plusieurs appareils en parallèle pour répondre aux besoins de sortie des unités d'alimentation à haute puissance des serveurs IA fonctionnant à des dizaines de kilowatts.
IV. Valeur de la série IMDQ75R pour les applications serveur d'intelligence artificielle
Les charges de travail des GPU dans les serveurs d'IA à haute puissance de calcul sont caractérisées par de grands courants d'entrée transitoires, des charges élevées soutenues,température ambiante élevée de l'armoire et fonctionnement continu toute l'annéeLes MOSFET et les IGBT traditionnels à base de silicium souffrent de pertes élevées et de défis thermiques importants dans les scénarios à haute fréquence et à haute puissance.limiter les améliorations de l'efficacité de l'alimentation électrique et de la densité de puissance.
Convient pour les systèmes d'alimentation à haute densité des unités de distribution dans les serveurs informatiques IA, couvrant le stade de conversion PFC à l'avant de l'interface AC/DC, la conversion DC/DC résonante LLC à l'arrière,et les modules d'alimentation à double pont actif (DAB) dans les serveurs IA.
1- Efficacité de conversion de puissance améliorée: les pertes de conduction et de commutation extrêmement faibles réduisent la production de chaleur dans l'alimentation du serveur lui-même,réduire la consommation d'énergie des systèmes de refroidissement du centre de données, améliorer les métriques PUE et répondre aux exigences de sortie continue à haut courant dans les scénarios d'IA à haute puissance de calcul.
2. Réalise une miniaturisation et une forte densité de puissance: permet à l'alimentation électrique de fonctionner à des fréquences de commutation plus élevées, réduisant la taille des composants passifs tels que les transformateurs et les inducteurs,et faciliter l'évolution des sources d'alimentation des serveurs vers une plus grande densité de puissance et des facteurs de forme plus petits.
3Amélioration de la fiabilité du système à long terme: test d'avalanche à 100%, forte résistance à la conduction parasitaire,et la capacité de fonctionner sur une large plage de température de jonction permettent au module de faire face aux fluctuations sévères des charges des serveurs IA et aux grands courants d'entrée transitoires, réduisant ainsi le risque de panne d'alimentation et assurant le fonctionnement continu et stable des charges de travail informatiques.
4- développement matériel simplifié: la diode intégrée offre d'excellentes caractéristiques de récupération inverse et une conception conviviale,assurer la compatibilité avec les puces SiC matures et raccourcir le cycle de développement des projets d'alimentation des serveurs.
V. Scénarios d'application typiques pour la série IMDQ75R
Équipements de commutation de serveur pour l'intelligence artificielle / IA
Convertisseurs de bus intermédiaires de courant continu à haute tension pour centres de données (IBC)
Topologies de conversion de puissance résonante de PFC et LLC à pôle totémique
Équipements de télécommunication haut de gamme et appareils d'alimentation sans interruption (UPS)
Systèmes d'alimentation électrique de commutation SMPS industriels à haute puissance
VI. Produits de la série Infineon IMDQ75R:
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
Le nombre de personnes concernées par l'essai est déterminé par le rapport de l'essai.
Les données sont fournies par les autorités compétentes.
Le nombre de personnes concernées par les mesures de protection des données est déterminé en fonction de l'échantillon.
Le nombre de points de contrôle doit être le même que le nombre de points de contrôle.
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