Le blog de l'entreprise Transistors IGBT Infineon IKW25N120H3 haute vitesse 1200V 25A avec diode anti-parallèle

Infineon IKW25N120H3 Transistors IGBT 25A 1200V haute vitesse avec diode anti-parallèle

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., un distributeur indépendant bien connu de composants électroniques dans l'industrie, propose en stock le transistor IGBT haute vitesse IKW25N120H3 d'Infineon, 1200V 25A. Il utilise la technologie avancée TRENCHSTOP™ et intègre une diode inverse-parallèle.

Ce IKW25N120H3 dispositif atteint un excellent équilibre entre les pertes de commutation et les pertes de conduction, ce qui le rend particulièrement adapté aux applications de commutation dure à haute fréquence. C'est un choix idéal pour des applications telles que les entraînements de moteurs industriels, les alimentations sans interruption (ASI), les équipements de soudage et les onduleurs solaires.

【IKW25N120H3 Aperçu du produit】

L'IKW25N120H3 est un produit représentatif de la technologie IGBT TRENCHSTOP™ haute vitesse de quatrième génération d'Infineon. Il est conditionné dans un boîtier TO-247-3, intégrant un IGBT 1200V, 25A et une diode anti-parallèle haute vitesse.

Cette conception réduit le besoin de composants externes, améliorant l'intégration et la fiabilité du système.

La caractéristique technique la plus notable du IKW25N120H3 dispositif est ses caractéristiques de commutation optimisées. Il utilise la technologie de tranchée à blocage de champ, qui non seulement atteint une faible chute de tension de saturation (Vce(sat)), mais réduit également de manière significative les pertes de commutation, permettant un fonctionnement efficace à des fréquences allant jusqu'à 70 kHz.

【IKW25N120H3 Analyse des principaux paramètres de performance】

L'IKW25N120H3 possède plusieurs caractéristiques électriques impressionnantes, qui déterminent directement ses performances dans les applications :

Spécifications de tension et de courant : tension collecteur-émetteur (Vces) jusqu'à 1200 V, courant collecteur continu (Ic) jusqu'à 50 A à 25 °C et 25 A à 100 °C, avec une capacité de courant d'impulsion jusqu'à 100 A.

Caractéristiques de conduction : La tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) a une valeur typique de 2,05 V (testée à une tension de grille de 15 V et un courant collecteur de 25 A). Cette faible chute de tension de conduction permet de réduire les pertes de puissance à l'état de conduction.

Caractéristiques de commutation : Le temps de retard à l'activation (td(on)) n'est que de 26 ns et le temps de retard à la désactivation (td(off)) est de 277 ns. De telles vitesses de commutation rapides le rendent adapté aux applications à haute fréquence, mais les dépassements de tension et les interférences électromagnétiques doivent être pris en compte dans la conception du circuit de commande.

Pertes de commutation : L'énergie d'activation (Eon) est de 1,8 mJ et l'énergie de désactivation (Eoff) est de 0,85 mJ (dans des conditions de commutation dure). Des pertes de commutation plus faibles se traduisent directement par une efficacité système plus élevée et des exigences de gestion thermique réduites.

Caractéristiques de la diode intégrée : Le temps de recouvrement inverse (trr) de la diode anti-parallèle intégrée est de 290 ns et la tension directe (VF) est de 2,4 V. Cela garantit la capacité de gérer les charges inductives.

Performances thermiques : La dissipation de puissance maximale (Ptot) du dispositif est de 326 W, avec une plage de température de jonction de fonctionnement de -40 °C à +175 °C. La large plage de températures lui permet de résister aux environnements de fonctionnement difficiles.

【IKW25N120H3 Structure et caractéristiques d'emballage】

L'IKW25N120H3 adopte le boîtier traversant standard TO-247-3 (également connu sous le nom de PG-TO247-3), qui offre une excellente résistance mécanique et des performances thermiques.

Les dimensions du boîtier IKW25N120H3 sont : longueur 16,13 mm, largeur 5,21 mm, hauteur 21,1 mm². Ce format d'emballage largement utilisé facilite l'installation et la dissipation thermique, et est compatible avec la plupart des dissipateurs thermiques standard.

Le dispositif IKW25N120H3 pèse environ 5,42 grammes. Les matériaux d'emballage sont conformes aux normes RoHS et sans plomb, répondant aux exigences environnementales. L'intérieur de l'emballage comprend un substrat en cuivre et une conception optimisée des fils de liaison internes, garantissant une excellente capacité de gestion du courant et une efficacité de conductivité thermique.

【IKW25N120H3 Caractéristiques techniques et avantages】

Le transistor IGBT IKW25N120H3 combine de multiples avantages techniques :

Capacité haute tension : tension de claquage collecteur de 1200 V, adaptée aux environnements d'application haute tension

Gestion de courant élevée : courant collecteur continu maximal jusqu'à 50 A, courant d'impulsion jusqu'à 100 A

Faible performance de perte : combine une faible perte de commutation et une faible perte de conduction pour améliorer l'efficacité du système

Excellentes performances thermiques : plage de température de jonction de fonctionnement de -40 °C à 175 °C, avec une puissance nominale maximale de 326 W

Caractéristiques de commutation rapides : Adapté aux topologies de commutation haute fréquence supérieures à 20 kHz

Ces caractéristiques font de l'IKW25N120H3 un choix idéal pour un large éventail d'applications électroniques de puissance.

【IKW25N120H3 Domaines d'application】

L'IKW25N120H3 convient à un large éventail d'applications électroniques de puissance, en particulier celles nécessitant des fréquences de commutation élevées et un rendement élevé :

Entraînements de moteurs industriels : Utilisé comme composants de commutation de puissance dans les variateurs de fréquence et les servocommandes, sa haute fréquence de commutation prend en charge le contrôle de moteur de haute précision.

Alimentation sans interruption (ASI) : Particulièrement adapté aux sections onduleur et redresseur des systèmes ASI en ligne, améliorant l'efficacité de la conversion d'énergie.

Équipement de soudage : Utilisé dans la section de conversion de puissance des machines à souder à onduleur, où les hautes fréquences permettent d'utiliser des transformateurs plus petits.

Onduleurs solaires : Convient à l'étape de conversion CC-CA des onduleurs photovoltaïques de type chaîne, avec une capacité haute tension pour répondre aux exigences de tension des chaînes photovoltaïques.

Alimentations à découpage (SMPS) : Particulièrement adapté aux étapes de conversion de puissance haute fréquence dans les alimentations de communication haute puissance et les alimentations de serveur.