Le blog de l'entreprise Module IGBT Infineon FP50R12W2T7 EasyPIM™ 2B 1200V/50A Module d'alimentation TRENCHSTOP™ IGBT7 7ème génération

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. est spécialisée dans la fourniture de la gamme complète de modules de puissance IGBT Infineon. Nous avons actuellement en stock des modules FP50R12W2T7 neufs et authentiques. Il s'agit d'un module PIM (Power Integrated Module) à entrée triphasée rectifiée utilisant la technologie IGBT7 TRENCHSTOP™ de septième génération, spécialement conçue pour les applications industrielles telles que les variateurs de moteurs, les onduleurs auxiliaires et les systèmes de climatisation. Il présente une chute de tension de saturation ultra-faible, une capacité de surcharge de 175°C et une technologie de sertissage PressFIT.

FP50R12W2T7 Aperçu du produit

Le FP50R12W2T7 est un module PIM (Power Integrated Module) triphasé Infineon EasyPIM™ 2B basé sur la technologie de grille à tranchées et champ d'arrêt IGBT7 TRENCHSTOP™ de septième génération. Spécifications : 1200V/50A. Intègre des IGBT, des diodes rapides et des capteurs de température NTC en une seule unité. Conçu spécifiquement pour la conversion de fréquence industrielle, les systèmes servo, les onduleurs statiques (UPS) et les équipements d'énergie renouvelable, il offre de faibles pertes, une capacité de surcharge élevée et une longue durée de vie.

Spécifications

Fabricant : Infineon

Modèle : FP50R12W2T7 (FP50R12W2T7_B11)

Boîtier : EasyPIM™ 2B (56,7 × 48 mm)

Tension / Courant : VCE = 1200V, IC = 50A (100A crête)

Technologie IGBT : TRENCHSTOP™ IGBT7 (IGBT à grille à tranchées de 7ème génération)

Chute de tension de saturation : VCE(sat) = 1,5V @ 25°C (faibles pertes)

Diode : Diode rapide à émetteur contrôlé de 7ème génération

Température de fonctionnement : -40°C à +175°C (surcharge élevée)

Tension d'isolement : 2,5 kV AC / 1 minute

Intégré : Thermistance NTC (détection de température)

Montage : Broches à sertir PressFIT, facile à assembler, haute fiabilité

FP50R12W2T7 Caractéristiques

• Caractéristiques électriques

- VCES = 1200 V

- IC nom = 50 A / ICRM = 100 A

- IGBT7 à grille à tranchées

- Fonctionnement en surcharge jusqu'à 175°C

- Faible VCEsat

• Caractéristiques mécaniques

- Substrat Al₂O₃ à faible résistance thermique

- Technologie de soudage

- Haute densité de puissance

- Conception compacte

- Isolation de 2,5 kV AC pendant 1 minute

FP50R12W2T7 Applications recommandées

• Climatisation

• Onduleurs auxiliaires

• Variateurs de moteurs

Aperçu du boîtier

Le FP50R12W2T7 est logé dans un boîtier de module de puissance standard Infineon EasyPIM™ 2B avec les spécifications suivantes :

Dimensions du boîtier (L × l : 56,7 mm × 48 mm

Hauteur : 12 mm

Type de broche : PressFIT (version FP50R12W2T7_B11) ou broches soudées (version standard FP50R12W2T7)

Matériau du substrat : Céramique d'oxyde d'aluminium Al₂O₃

Méthode de montage : Montage en surface / Compatible montage traversant

Tous les produits fournis par Mingjiada Electronics sont neufs, authentiques et originaux, garantissant la qualité des puces et éliminant les sources non authentiques telles que les produits reconditionnés, contrefaits ou en vrac. Que vous ayez besoin d'échantillons, d'achats en petits lots ou de fournitures pour une production à grande échelle, Mingjiada Electronics peut proposer des solutions d'approvisionnement flexibles et des prix très compétitifs.

Informations de contact :

Personne à contacter : M. Chen

Téléphone : +86 13410018555

E-mail : sales@hkmjd.com

Site Web : https://www.integrated-ic.com/