Infineon1EDI3033ASConducteur de porte haute tension automobile à canal unique pour MOSFET SiC
La société Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. a été créée en Chine par le gouvernement chinois.En tant que premier fournisseur national de composants électroniques, Infineon fournit systématiquement les1EDI3033ASle pilote de porte à haute tension à canal unique de qualité automobile, offrant une solution de pilotage optimale pour les applications SiC MOSFET.
Vue d'ensemble1EDI3033ASLe pilote de la porte
L'Infineon 1EDI3033AS est un pilote de porte isolé à canal unique haute performance spécialement conçu pour les MOSFET en carbure de silicium (SiC).Il utilise une technologie d'isolation de transformateur sans noyau (CT) avancée pour fournir des signaux d'entraînement sûrs et fiables pour les interrupteurs de puissance haute tensionL'appareil est conforme à la norme de certification AEC-Q100, garantissant un fonctionnement stable dans des environnements électroniques automobiles difficiles.C'est un choix idéal pour des applications telles que les systèmes de propulsion électrique dans les véhicules à énergie nouvelle, les chargeurs embarqués (OBC) et les convertisseurs CC-CC.
Le 1EDI3033AS est équipé d'une tension d'isolement allant jusqu'à 5 kVrms et d'un courant de pointe de ±10 A,permettant une commutation rapide des MOSFET SiC et tirant pleinement parti de leurs avantages en matière de haute fréquence et d'efficacitéComparé aux solutions d'isolation traditionnelles basées sur des optocoupleurs ou des transformateurs d'impulsion, le 1EDI3033AS utilise une technologie de transformateur sans noyau.qui offre un retard de propagation plus faible (valeur typique de 25 ns) et une immunité transitoire de mode commun plus élevée (CMTI > 150 kV/μs), assurant un fonctionnement stable du système même dans des environnements bruyants.
Principales caractéristiques techniques du1EDI3033AS
Le pilote de porte Infineon 1EDI3033AS intègre plusieurs technologies innovantes, ce qui lui confère un avantage significatif dans le domaine des pilotes de MOSFET SiC.L'appareil utilise un boîtier compact DSO-8 de seulement 5 mm × 6Il supporte une large plage de tension de fonctionnement de 15V à 30V, compatible avec diverses conceptions d'alimentation du système,et comprend une protection contre le verrouillage sous tension (UVLO) pour empêcher un fonctionnement non intentionnel dans des conditions de tension anormales.
En termes de capacité d'entraînement, le 1EDI3033AS fournit un courant de sortie de pointe de ± 10 A,permettant de charger et de décharger rapidement la capacité de la passerelle du MOSFET SiC pour atteindre des vitesses de commutation de niveau nanosecondeCette caractéristique est cruciale pour tirer pleinement parti des avantages de haute fréquence des dispositifs SiC, réduire efficacement les pertes de commutation et améliorer l'efficacité du système.Le conducteur intègre une fonction de serrage Miller active en interne, empêchant la conduction involontaire des MOSFET SiC causée par l'effet Miller dans des conditions de dv/dt élevées, améliorant considérablement la fiabilité du système.
Les performances d'isolation sont un autre élément clé du 1EDI3033AS.obtenant une isolation renforcée de 5 kVrms (conforme aux normes UL 1577) et une immunité transitoire en mode commun (CMTI) supérieure à 150 kV/μsCe niveau élevé de performance d'isolation est particulièrement important pour les systèmes à haute tension (tels que les plates-formes de véhicules électriques 800 V),prévenir efficacement les interférences de signal entre les circuits à haute et à basse vitesse et assurer un fonctionnement stable du système dans des conditions extrêmes.
Le 1EDI3033AS dispose également de fonctions de protection complètes, y compris le verrouillage sous tension (UVLO), la protection contre les températures élevées et la protection contre les courts-circuits.Ces mécanismes de protection s' activent rapidement en cas d' anomalie du système., empêchant les MOSFET SiC d'être endommagés en raison de la surtension, du sur courant ou de la surchauffe.répondant pleinement aux exigences environnementales des applications électroniques automobiles.
Une parfaite correspondance des1EDI3033ASavec des MOSFET au carbure de silicium
La combinaison du pilote de porte Infineon 1EDI3033AS et des MOSFET SiC (CoolSiCTM) représente l'avant-garde de la technologie de l'électronique de puissance.pertes de conduction plus faiblesCependant, pour tirer pleinement parti de ces avantages, un pilote de porte spécialement optimisé est essentiel.
Le 1EDI3033AS a été spécialement optimisé pour répondre aux exigences uniques en matière d'entraînement des MOSFET SiC.Les dispositifs SiC nécessitent généralement des tensions d'entraînement de porte plus élevées (généralement de +18V/-3V à +20V/-5V) pour assurer une conduction complète et un arrêt fiable, et la tension de sortie réglable du 1EDI3033AS répond parfaitement à cette exigence.et la régulation précise de la tension de la porte fournie par le 1EDI3033AS peut effectivement prolonger la durée de vie du dispositif.
En ce qui concerne les caractéristiques de commutation, la combinaison des MOSFET 1EDI3033AS et SiC permet d'atteindre des vitesses de commutation de niveau nanoseconde, ce qui réduit considérablement les pertes de commutation.Les données d'essai montrent que le module MOSFET CoolSiCTM de 1200V entraîné par le 1EDI3033AS réduit les pertes de commutation de plus de 50% par rapport aux IGBT traditionnels à base de silicium, améliorant l'efficacité du système de 3 à 5%, ce qui se traduit par des économies d'énergie importantes et une autonomie étendue pour les applications à haute puissance telles que les systèmes de propulsion des véhicules électriques.
La gestion thermique est également une considération essentielle dans les applications SiC.avec une résistance à l'humidité élevée d'environ 0,8 MPa,Cette compatibilité à haute température permet aux systèmes d'utiliser des dissipateurs de chaleur plus petits ou des conceptions à plus forte densité de puissance, ce qui contribue à réduire la taille et le poids du système.spécialement adapté aux applications électroniques automobiles à espace restreint.
Applications du projet1EDI3033ASdans les véhicules à énergie nouvelle
Les véhicules à énergie nouvelle sont l'un des domaines d'application les plus importants pour le pilote de porte 1EDI3033AS.avec leur haute tensionLe 1EDI3033AS, spécialement conçu pour les MOSFET SiC, a été conçu pour être utilisé dans les systèmes de propulsion électrique.Il joue un rôle crucial dans cette transformation..
Dans les applications d'onduleur principal, le 1EDI3033AS est utilisé pour entraîner les modules d'alimentation MOSFET CoolSiCTM, permettant une conversion efficace de l'alimentation en courant continu de la batterie en alimentation en courant alternatif du moteur.Comparé aux solutions traditionnelles à base de silicium, les onduleurs SiC peuvent améliorer l'efficacité de 3 à 5%, ce qui signifie que les véhicules électriques peuvent obtenir une augmentation de 5 à 8% de l'autonomie avec la même capacité de la batterie.Les capacités d'entraînement élevées et les caractéristiques de réponse rapide du 1EDI3033AS assurent une commutation à grande vitesse des MOSFET SiC, tandis que ses caractéristiques de protection robustes améliorent la fiabilité du système, répondant aux exigences strictes de l'électronique automobile.
Les chargeurs embarqués (OBC) constituent un autre scénario d'application important.supportant une charge intégrée de 11 ou même 22 kWSa taille compacte est particulièrement adaptée aux environnements électroniques automobiles à l'espace limité.tandis que sa haute tension d'isolation assure une isolation sûre entre le côté haute tension et le côté basse tension, répondant aux normes de sécurité électronique automobile.
Dans les convertisseurs CC-DC, la combinaison du pilote 1EDI3033AS et des MOSFET SiC permet des fréquences de commutation au niveau des MHz,Réduction significative de la taille et du poids des composants passifs tels que les inducteurs et les condensateursCeci est particulièrement important pour la conversion de tension de 800V à 400V ou de 800V à 12V dans les véhicules électriques, ce qui contribue à réduire le poids global du véhicule et à améliorer l'efficacité énergétique.
Applications du projet1EDI3033ASdans les secteurs industriel et énergétique renouvelable
En plus des véhicules à énergie nouvelle, le pilote de porte Infineon 1EDI3033AS a des applications étendues dans les secteurs de l'automatisation industrielle et des énergies renouvelables.0 et la transition énergétique, la demande de solutions électroniques de puissance efficaces et fiables augmente rapidement et la combinaison des MOSFET 1EDI3033AS et SiC devient une référence technique dans ces domaines.
Dans le secteur de l'entraînement des moteurs industriels, les MOSFET SiC entraînés par l'inverseur 1EDI3033AS peuvent atteindre un rendement d'inverseur allant jusqu'à 98%, avec des fréquences de commutation de 50 à 100 kHz,une réduction significative de la taille des filtres de sortieCeci est particulièrement important pour les applications à haute performance dynamique telles que les servo-entraînements, les entraînements à fréquence variable et la robotique, car il améliore la vitesse de réponse du système et la précision du contrôle.L'immunité élevée au bruit du 1EDI3033AS le rend également très approprié pour relever les défis communs des interférences électromagnétiques (EMI) dans les environnements industriels.
Les onduleurs à chaîne entraînés par le 1EDI3033AS atteignent un rendement allant jusqu'à 99%, ce qui représente un rendement de 1,5%.Amélioration de 5 à 2% par rapport aux solutions traditionnelles à base de siliciumLes caractéristiques de fonctionnement à haute température du 1EDI3033AS lui permettent de résister aux fortes fluctuations de température des systèmes photovoltaïques extérieurs,tandis que sa haute tension d'isolation assure la sécurité du système du côté de la haute tension CC.
Dans le secteur de l'alimentation des centres de données, la combinaison des 1EDI3033AS et des MOSFET SiC permet d'alimenter des serveurs avec un rendement supérieur à 96% et une densité de puissance atteignant ou supérieure à 100 W/in3,une réduction significative des besoins en énergie et en refroidissement des centres de données;Les caractéristiques de commutation rapide du 1EDI3033AS facilitent la mise en œuvre de convertisseurs résonants LLC à haute fréquence,réduire la taille des transformateurs et des composants de filtres pour répondre à la demande des centres de données en sources d'alimentation à haute densité de puissance.
Votre message doit contenir entre 20 et 3 000 caractères!
