Le blog de l'entreprise L'approvisionnement en stock d'Infineon MOSFET à N-canal BSZ440N10NS3G OptiMOSTM3 Transistor de puissance, 100V

Mingjiada Electronics en vente : MOSFET de puissance à canal N InfineonBSZ440N10NS3G, Transistor de puissance OptiMOS™3, 100 V.

BSZ440N10NS3G Description du produit
Le MOSFET de puissance à canal N Infineon BSZ440N10NS3G est un transistor de puissance de la série OptiMOS™3, classé 100 V. Le BSZ440N10NS3G est conditionné dans un boîtier PG-TSDSON-8, avec une taille compacte (3,3 × 3,3 × 1,1 mm), ce qui le rend idéal pour les conceptions de circuits à haute densité. Le BSZ440N10NS3G est conforme aux normes RoHS et AEC-Q101, ce qui le rend adapté aux applications électroniques industrielles et automobiles.

BSZ440N10NS3G Caractéristiques du produit
Faible résistance à l'état passant : RDS(on) aussi bas que 3,8 milliohms (typique), le BSZ440N10NS3G réduit considérablement la perte de puissance et améliore l'efficacité du système.
Capacité de commutation rapide : Le BSZ440N10NS3G prend en charge les scénarios de fonctionnement à haute fréquence, répondant aux exigences de la conversion de puissance efficace moderne.
Capacité de courant de surtension élevée : Le BSZ440N10NS3G peut supporter des surtensions de courant plus importantes pendant de courtes périodes sans dommage.
Diode inverse intégrée : Le BSZ440N10NS3G réduit le besoin de composants supplémentaires et simplifie la conception du circuit.
Conforme RoHS : Respectueux de l'environnement et adapté aux applications du marché mondial.
Type de boîtier : Le BSZ440N10NS3G utilise un boîtier PG-TSDSON-8, améliorant les performances thermiques et électriques tout en réduisant l'espace d'installation.

Le BSZ440N10NS3G présente les caractéristiques exceptionnelles suivantes :
Résistance à l'état passant ultra-faible : RDS(on) = 3,8 mΩ @ Vgs = 10 V
Capacité de commutation rapide : Qg = 9,1 nC @ 10 V
Capacité de courant élevée : Id = 18 A @ 25°C
Large plage de températures de fonctionnement : -55°C à +150°C
Diode inverse intégrée

Paramètres clés
Les principaux paramètres du BSZ440N10NS3G incluent :
Tension drain-source (VDS) : 100 V
Courant de drain continu (Id) : 18A
Courant de drain pulsé (Idp) : 660A
Tension grille-source (Vgs) : ±20V
Tension de seuil (Vgs(th)) : 2,7V
Capacité d'entrée (Ciss) : 640pF

Applications typiques
Le BSZ440N10NS3G est largement utilisé dans :
Alimentations à découpage (SMPS)
Convertisseurs CC-CC
Commandes de moteurs
Systèmes de gestion de batterie
Alimentations industrielles

Mingjiada Electronics garantit que le BSZ440N10NS3G est authentique et en stock. Avec ses excellents paramètres de performance et sa fiabilité, le BSZ440N10NS3G est un choix idéal pour la conception de l'électronique de puissance.

Pour toute demande concernant l'achat du BSZ440N10NS3G, veuillez contacter Mingjiada Electronics pour obtenir les dernières informations sur les prix et l'inventaire.

Coordonnées :
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E-mail : sales@hkmjd.com
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