Le blog de l'entreprise Composants électroniques de l'arrêt de champ de fossé du transistor AFGHL40T65SPD 238W d'IGBT TO-247-3

Composants électroniques de l'arrêt de champ de fossé du transistor AFGHL40T65SPD 238W d'IGBT TO-247-3

Description de produit d'AFGHL40T65SPD

L'arrêt de champ de fossé d'AFGHL40T65SPD 238W, transistor simple de 28ns IGBT, dissipation de puissance maximum @ comité technique = 100°C est 119W. Le paquet est TO-247-3, par le trou,

Spécifications d'AFGHL40T65SPD

Caractéristiques d'AFGHL40T65SPD

• Junction−to−case de résistance thermique, pour IGBT : 0.63°C/W
• Basse tension de saturation : VCE (SAT) = 1,6 V (type.) @ IC = 40 A
• Dissipation de puissance maximum @ comité technique = 25°C : 238W
• Résistance thermique junction−to−ambient : 40°C/W
• Comité technique en avant de courant de diode @ < 25="">

FAQ
Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.