Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. fournit UJ3C065080B3: Dispositif de puissance JFET en carbure de silicium (SiC) EliteSiC™ 650V/25A en cascade (boîtier D2PAK-3) depuis longtemps. Nous proposons des produits originaux authentiques, avec un stock important disponible. Veuillez nous contacter immédiatement pour plus d'informations !
UJ3C065080B3Aperçu du produit
L'UJ3C065080B3 est un dispositif de puissance JFET en carbure de silicium (SiC) 650V/25A en cascade lancé par UnitedSiC, conditionné dans un boîtier D2PAK-3 (TO-263-3), adapté aux applications de commutation haute fréquence, de conversion de puissance à haut rendement et d'électronique automobile. L'UJ3C065080B3 combine les performances supérieures du matériau SiC, offrant une faible résistance à l'état passant, une commutation à grande vitesse et une stabilité à haute température, ce qui en fait une alternative idéale aux MOSFET et IGBT traditionnels à base de silicium.
UJ3C065080B3Principales caractéristiques
Capacité haute tension, courant élevé
Tension de claquage drain-source de 650 V (Vds), courant de drain continu de 25 A (Id), avec un courant d'impulsion allant jusqu'à 65 A, adapté aux applications haute puissance.
Très faible résistance à l'état passant (Rds(on))
80 mΩ (typique), réduisant les pertes par conduction et améliorant l'efficacité du système.
Performances de commutation à grande vitesse
Temps de montée de 13 ns, temps de descente de 11 ns, réduisant les pertes de commutation, adapté aux applications haute fréquence.
Fonctionnement sur une large plage de températures
Plage de température de fonctionnement de -55 °C à +175 °C, adaptée aux environnements difficiles.
Structure SiC FET améliorée
Comporte une conception JFET en cascade, compatible avec les pilotes MOSFET standard, aucune tension négative d'arrêt requise.
Conforme à la certification automobile AEC-Q101
Adapté aux systèmes électroniques automobiles tels que les chargeurs embarqués (OBC) et les convertisseurs CC-CC des véhicules électriques (VE).
UJ3C065080B3Principales applications
Systèmes d'entraînement de véhicules électriques (VE)
L'UJ3C065080B3 peut être utilisé dans les onduleurs de plate-forme haute tension 800 V pour améliorer l'efficacité énergétique et réduire les exigences de dissipation thermique.
Alimentations industrielles et onduleurs photovoltaïques
Adapté aux alimentations à découpage haute fréquence et aux onduleurs solaires pour réduire les pertes d'énergie.
Alimentations de serveurs et de centres de données
Le rendement élevé de l'UJ3C065080B3 optimise les convertisseurs CC-CC 48 V, augmentant la densité de puissance.
Chargement sans fil et appareils de chargement rapide
Utilisation des avantages haute fréquence du SiC pour améliorer l'efficacité du chargement et réduire la taille des composants magnétiques.
Entraînements de moteurs et automatisation industrielle
L'UJ3C065080B3 est adapté aux servocommandes et aux onduleurs, améliorant la fiabilité du système.
UJ3C065080B3Spécifications détaillées
Modèle : UJ3C065080B3
Marque : UnitedSiC
Boîtier : D2PAK-3 (TO-263-3)
Technologie : SiC (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vds) : 650 V
Courant de drain continu (Id) : 25 A
Courant de drain d'impulsion (Idm) : 65 A
Résistance à l'état passant (Rds(on)) : 80 (typique) mΩ
Charge de grille (Qg) : 51 nC
Tension grille-source (Vgs) : ±25 V
Tension de seuil (Vgs(th)) : 4 V
Temps de commutation (tr/tf) : 13/11 ns
Plage de température de fonctionnement : -55 à +175 °C
Dissipation de puissance (Pd) : 115 W
UJ3C065080B3 Chaîne d'approvisionnement et inventaire
Mingjiada Electronics propose une disponibilité en stock pour l'UJ3C065080B3, avec un inventaire important et une assistance pour une livraison rapide.
Nous fournissons des produits originaux authentiques du fabricant et prenons en charge la vérification de la certification AEC-Q101.
Des échantillons sont disponibles pour les applications dans les nouvelles énergies, l'électronique automobile, les alimentations industrielles et d'autres domaines.
Résumé
Faisant partie de la série UnitedSiC EliteSiC™, l'UJ3C065080B3 est un dispositif de puissance SiC 650 V/25 A. offre de faibles pertes par conduction, une commutation à grande vitesse et une stabilité à haute température, ce qui en fait un choix idéal pour des applications telles que les véhicules électriques, les onduleurs photovoltaïques et les alimentations industrielles. Le boîtier D2PAK-3 de l'UJ3C065080B3 facilite la conception des circuits imprimés, tandis que la certification AEC-Q101 garantit sa fiabilité dans l'électronique automobile.
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