En tant que fournisseur spécialisé de composants électroniques, Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. propose un grand stock deLe nombre de points de contrôle(Le nombre total d'émissions de CO2 doit être déterminé en tenant compte de l'indice de CO2.), STMicroelectronics ◄ MOSFET de troisième génération de carbure de silicium (SiC) de qualité automobile, dans un emballage HU3PAK.Il convient aux applications d'alimentation à haute fiabilité telles que les onduleurs principaux des véhicules à énergie nouvelle, des chargeurs embarqués (OBC) et des alimentations en courant continu/en courant continu pour véhicules électriques et véhicules électriques haut de gamme.
Le nombre de points de contrôle Description du produit
LeLe nombre de points de contrôleest un MOSFET à alimentation par canal N en carbure de silicium (SiC) de troisième génération de STMicroelectronics, répondant à la norme AEC-Q101 de qualité automobile.d'une tension nominale de 1200 V et d'un courant de sortie continu de 100 AEn utilisant la technologie de processus SiC de troisième génération, l'appareil maintient une résistance à l'allumage extrêmement faible sur toute la plage de température.caractéristiques de faible capacité parasitaire et de commutation à grande vitesseAvec une diode intrinsèque robuste et rapide et une broche de détection de source,il améliore l'efficacité de conversion des circuits d'alimentation tout en réduisant la taille et le poids globaux de l'unité d'alimentationIl est donc préférable d'utiliser le moteur à haute tension pour la conversion de l'énergie dans les véhicules à énergie nouvelle.Le nombre de points de contrôle, offrant des produits authentiques en stock pour répondre aux besoins de la R&D de prototypage et de l'approvisionnement en production de masse, tout en assurant la sécurité de l'approvisionnement pour les projets à long terme.
Les spécifications
- Le modèle:Le nombre de points de contrôle(Le nombre total d'émissions de CO2 doit être déterminé en tenant compte de l'indice de CO2.)
- Marque: STMicroélectronique
- Type de dispositif: MOSFET SiC à canal N (transistor de puissance au carbure de silicium)
- Le paquet: HU3PAK
- Voltage de la source de vidange Vdss: 1200V
- courant de vidange continu Id (Tc): 100A
- Rds typique sur résistance: 18,5mΩ, maximum 28mΩ @ 50A, Vgs=18V
- Charge maximale de la porte Qg: 121nC @ 18V
- Capacité d'entrée maximale Ciss: 3,465 pF @ 800 V
- tension de la porte Vgs: maximum +18 V, -5 V
- Dissipation de puissance maximale Ptot: 281 W
- Plage de température de fonctionnement des jonctions: -55 °C à +175 °C
- Normes de certification: certification de qualité automobile AEC-Q101, RoHS
- Processus: MOSFET SiC de troisième génération
Caractéristiques du produit
1. certification AEC-Q101 automobile, adaptée aux conditions difficiles de température et de vibration élevées et basses rencontrées dans les applications automobiles
2. Maintient des Rds (on) extrêmement faibles sur toute la plage de température, réduisant les pertes de conduction et améliorant l'efficacité énergétique du système
3Les performances de commutation à grande vitesse et la faible capacité parasitaire permettent une conversion de puissance à haute fréquence, réduisant la taille du dissipateur de chaleur
4Diode de carrosserie ultra-rapide intégrée et stable avec d'excellentes caractéristiques de retour
5La conception de la broche de détection de la source optimise l'échantillonnage du moteur, améliorant encore l'efficacité de la conversion de puissance
6. Package HU3PAK avec des performances thermiques supérieures, adapté aux modules de puissance à haute puissance et à haute densité
7Le procédé du carbure de silicium de troisième génération assure une fiabilité élevée, adapté aux applications automobiles de longue durée
Scénarios d'application
- Inverteurs de traction principale pour véhicules à énergie nouvelle (EV/HEV)
- Les chargeurs à bord (OBC)
- Convertisseurs à haute tension CC/DC pour véhicules électriques
- Unités d'alimentation à haute tension pour convertisseurs de stockage d'énergie
- Équipements industriels de haute tension et modules électriques pour stations de recharge de haute puissance
Services de fourniture électronique de Mingjiada
Fondée en 1996, Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd détient la certification ISO 9001 du système international de gestion de la qualité et est spécialisée dans la fourniture de composants pour la 5G, les nouvelles énergies,Secteurs de l'Internet des objets (IoT) et de l'Internet des véhicules (IoV).
Pour leLe nombre de points de contrôleDans le cadre de l'exécution de la présente décision, Mingjiada Electronics a fourni les garanties suivantes:
1Disponibilité des stocks: Nous adoptons une stratégie de stock à portée de main, soutenant les demandes d'échantillons et les achats en vrac pour répondre aux exigences à chaque étape, des tests de R & D à la production en série.
2Produits originaux: Nous garantissons des produits originaux à 100% et fournissons des fiches de données complètes et un soutien technique.
3. Exécution des commandes en un seul endroit: en plus des appareils discrets SiC, nous offrons des services complémentaires pour les MCU de qualité automobile, les circuits intégrés du conducteur et les composants périphériques,en réduisant ainsi la complexité de nos chaînes d'approvisionnement.
Veuillez contacter Mingjiada Electronics pour les dernières offres et informations sur les stocks:
Le site internet est le suivant: www.hkmjd.com
Téléphone: +86 13410018555
Le courrier électronique: sales@hkmjd.com
L'adresse: Chambres 12391241, bâtiment Guoli, rue Zhenzhong, district de Futian, Shenzhen.
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