ADI HMC517LC4TR Amplificateur à faible bruit MMIC pHEMT GaAs à plage dynamique élevée
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., en tant que distributeur de composants électroniques de renommée mondiale, fournit depuis longtemps l'amplificateur à faible bruit MMIC pHEMT en arséniure de gallium à plage dynamique élevée HMC517LC4TR d'ADI. Ce dispositif RF haute performance démontre des caractéristiques électriques exceptionnelles dans la bande de fréquences 17-26 GHz et est largement appliqué dans des domaines haut de gamme tels que la radio point à point, les systèmes VSAT et les équipements de test.
HMC517LC4TR Aperçu du produit et spécifications techniques :
Le HMC517LC4TR est un amplificateur à faible bruit (LNA) monolithique à micro-ondes intégré (MMIC) à transistor à haute mobilité d'électrons pseudomorphe (pHEMT) en arséniure de gallium à plage dynamique élevée. Le produit est conditionné en utilisant une technologie de montage en surface (SMT) sans plomb, conforme aux normes RoHS, fonctionnant à des fréquences de 17 GHz à 26 GHz, et appartient à la catégorie des dispositifs micro-ondes en bande Ka. Il possède une valeur d'application significative dans les communications par satellite, les ondes millimétriques 5G et les systèmes radar.
En termes d'emballage, le HMC517LC4TR adopte un boîtier LGA-24 avec des dimensions de 4x4 millimètres, ce qui correspond à la tendance moderne à la miniaturisation et à la haute intégration dans la conception des appareils électroniques. Cet emballage offre non seulement d'excellentes performances thermiques pour une gestion efficace de la chaleur, mais est également compatible avec la technologie de fabrication en montage en surface à grand volume, simplifiant considérablement le processus de production.
Les principaux paramètres techniques du HMC517LC4TR comprennent :
Plage de fréquences de fonctionnement : 17 GHz à 26 GHz, couvrant la bande Ka
Gain en petits signaux : 19 dB (typique), offrant une capacité d'amplification de signal stable
Facteur de bruit : 2,5 dB, surpassant les produits similaires
Point d'interception du troisième ordre de sortie (OIP3) : +23 dBm, démontrant d'excellentes performances linéaires
Puissance de sortie au point de compression à 1 dB (P1dB) : +13dBm, garantissant une marge de puissance de sortie suffisante
Tension de fonctionnement : alimentation unique de +3V, simplifiant la conception de l'alimentation du système
Courant de fonctionnement : 67mA, avec un contrôle raisonnable de la consommation d'énergie
Un avantage de conception important du HMC517LC4TR est son réseau d'adaptation d'impédance 50 ohms entièrement intégré, ce qui signifie que les ingénieurs n'ont pas besoin de concevoir des circuits d'adaptation d'impédance complexes ou d'utiliser des composants externes lors de l'application de ce dispositif, simplifiant grandement le processus de conception du système RF, réduisant la complexité du développement et diminuant les coûts de nomenclature. Les ports d'entrée et de sortie utilisent tous deux une conception standard de 50Ω, facilitant davantage l'intégration du système.
Caractéristiques de performance et avantages de conception du HMC517LC4TR :
En tant qu'amplificateur à faible bruit MMIC basé sur pHEMT en arséniure de gallium, le HMC517LC4TR offre de multiples avantages en termes de performances RF, d'intégration et de fiabilité, ce qui en fait un choix idéal pour les applications haute fréquence.
Les performances large bande sont l'une des caractéristiques exceptionnelles de l'amplificateur. La bande de fréquences de fonctionnement continue de 17 GHz à 26 GHz couvre les bandes de fréquences RF critiques de la bande Ka. Cette capacité large bande permet à un seul dispositif de répondre aux besoins de multiples applications, réduisant considérablement la complexité de la commutation de bande de fréquences dans la conception du système tout en réduisant également la gestion des matériaux et les coûts d'inventaire.
En termes de performances de bruit, le HMC517LC4TR offre un facteur de bruit de 2,5 dB, ce qui est extrêmement faible pour un amplificateur en bande Ka. Ses caractéristiques de faible bruit le rendent particulièrement adapté à une utilisation comme amplificateur de premier étage dans un frontal de récepteur, maximisant la réduction du facteur de bruit du système et améliorant la sensibilité du récepteur. Par rapport aux amplificateurs traditionnels à base de silicium, ce dispositif, basé sur la technologie pHEMT en arséniure de gallium, offre des avantages significatifs en termes de performances de bruit, de caractéristiques de fréquence et de stabilité thermique.
La haute linéarité est une autre caractéristique clé du HMC517LC4TR. Avec un point d'interception du troisième ordre de sortie (OIP3) de +23dBm et une puissance de sortie au point de compression à 1 dB de +13dBm, il peut gérer des signaux à plage dynamique élevée sans introduire de distorsion d'intermodulation notable. Cela le rend adapté non seulement comme amplificateur à faible bruit, mais aussi comme pilote d'oscillateur local (LO) pour les mélangeurs équilibrés, I/Q ou à suppression d'image.
En termes de commodité d'intégration du système, l'adaptation d'impédance d'entrée/sortie 50 ohms entièrement intégrée élimine le besoin de conception de réseau d'adaptation externe, tandis que le boîtier à montage en surface (SMT) est entièrement compatible avec les processus d'assemblage de PCB modernes. Ces caractéristiques font collectivement du dispositif une solution RF « plug-and-play », réduisant considérablement les cycles de développement de produits.
Du point de vue de la fiabilité, la technologie pHEMT en arséniure de gallium offre intrinsèquement une capacité de fonctionnement à haute température et une excellente résistance aux radiations, combinée au système de contrôle qualité rigoureux d'ADI, assurant un fonctionnement stable du HMC517LC4TR dans des environnements difficiles.
Domaines d'application typiques du HMC517LC4TR :
La communication radio point à point est l'un des principaux scénarios d'application de cet amplificateur. Dans les systèmes de liaison hyperfréquence, le HMC517LC4TR est couramment utilisé comme amplificateur à faible bruit en frontal RF. Ses caractéristiques de large bande passante sont particulièrement adaptées aux systèmes de communication hyperfréquence fonctionnant sur plusieurs bandes de fréquences, tandis que son faible facteur de bruit garantit une sensibilité de réception élevée du système. Un gain de 19 dB compense efficacement les pertes de trajet de transmission, améliorant le rapport signal/bruit global du système.
Les systèmes de communication par satellite, en particulier les équipements VSAT (Very Small Aperture Terminal), constituent un autre domaine d'application important pour cet amplificateur. Dans les communications par satellite en bande Ka (26,5–40 GHz), le HMC517LC4TR peut servir d'étage d'amplificateur à faible bruit avant le convertisseur abaisseur. Ses performances stables et son boîtier compact sont particulièrement adaptés aux équipements de terminaux VSAT à espace limité. Un facteur de bruit de 2,5 dB est particulièrement important pour les systèmes de réception par satellite, car il affecte directement la valeur G/T globale de la liaison (facteur de mérite).
Les équipements de test et de mesure continuent d'avoir une demande constante pour le HMC517LC4TR. Dans des instruments tels que les sources de signaux hyperfréquences et les analyseurs de spectre, l'amplificateur peut servir de module de conditionnement de signal, fournissant le gain et les caractéristiques de faible bruit nécessaires. La couverture large bande de 17–26 GHz réduit le nombre d'amplificateurs requis dans les systèmes de test, simplifiant la conception des instruments.
Les systèmes électroniques militaires constituent également un marché important pour le HMC517LC4TR. Dans les équipements de guerre électronique (EW) et de contre-mesures électroniques (ECM), l'amplificateur peut être utilisé dans le frontal du récepteur ou la chaîne de génération de signaux d'interférence. Sa large bande passante permet de couvrir plusieurs fréquences de menace, tandis que la résistance inhérente aux radiations de la technologie à l'arséniure de gallium (GaAs) améliore la fiabilité dans les environnements électromagnétiques difficiles.
De plus, le HMC517LC4TR est parfaitement adapté à une utilisation comme pilote d'oscillateur local (LO) pour les mélangeurs. Dans les architectures de récepteur superhétérodyne, la commande du port LO du mélangeur nécessite une puissance suffisante pour garantir une bonne efficacité de conversion, tout en exigeant également un faible bruit de phase pour éviter de dégrader les performances de bruit du système. La haute linéarité et le niveau de puissance modéré de l'amplificateur en font un choix idéal pour la commande LO.
La communication par ondes millimétriques 5G est un domaine d'application potentiel émergent pour le HMC517LC4TR. Alors que la 5G s'étend à des bandes de fréquences plus élevées, la bande de 24 GHz à 40 GHz sera utilisée pour la communication par ondes millimétriques 5G. La plage de fonctionnement de 17-26 GHz du HMC517LC4TR peut prendre en charge la section de traitement des fréquences intermédiaires de ces systèmes.
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