Le blog de l'entreprise Transistors larges d'acquisitions de transistors de la puce SCT040W120G3AG HiP247 Bandgap de circuit intégré de SIC d'acquisitions

Transistors larges d'acquisitions de transistors de la puce SCT040W120G3AG HiP247 Bandgap de circuit intégré de SIC d'acquisitions

Description de produit de SCT040W120G3AG
SCT040W120G3AG est le transistor MOSFET 1200 V, type de puissance de carbure de silicium de Des véhicules à moteur-catégorie de 40 mOhm., 40 A dans un paquet HiP247. Améliorez la représentation d'application dans la fréquence, le rendement énergétique, la taille de système et la réduction de poids.

Spécifications de SCT040W120G3AG

Caractéristiques de SCT040W120G3AG

• AEC-Q101 a qualifié
• Le bas RDS même (dessus) sur la température ambiante entière
• Représentations de changement à grande vitesse
• Diode intrinsèque très rapide et robuste de corps
• Capacité fonctionnante très élevée de la température de jonction (TJ = °C) 200

Le détail réutilisent le processus

1. Vous pouvez simplement classifier vos actions d'IC/module et identifier le modèle, la marque, la date de production, la quantité, etc.

2. Veuillez envoyer votre liste d'inventaire à notre équipe d'évaluation par fax ou à email.

3. Quand vous recevez l'offre d'achat d'un de nos professionnels, nous pouvons négocier la méthode et la livraison spécifiques de transaction et conclure un accord.

4. Nous réutilisons seulement des canaux réguliers, tels que des agents, des commerçants, et des usines, et n'acceptons pas des sources irrégulières.