Le blog de l'entreprise Transistors de transistors MOSFET d'acquisitions, microcontrôleur IC, mémoire IC, capteur IC

Transistors de transistors MOSFET d'acquisitions, microcontrôleur IC, mémoire IC, capteur IC

Le détail réutilisent le processus :
1. Vous pouvez simplement classifier vos actions d'IC/module et identifier le modèle, la marque, la date de production, la quantité, etc.
2. Veuillez envoyer votre liste d'inventaire à notre équipe d'évaluation par fax ou à email.
3. Quand vous recevez l'offre d'achat d'un de nos professionnels, nous pouvons négocier la méthode et la livraison spécifiques de transaction et conclure un accord.
4. Nous réutilisons seulement des canaux réguliers, tels que des agents, des commerçants, et des usines, et n'acceptons pas des sources irrégulières.

N-canal 1200V 68A 352W TO-247-4L des transistors NTH4L022N120M3S de transistors MOSFET d'acquisitions

Description de produit
Les transistors MOSFET de carbure de silicium de NTH4L022N120M3S (sic) sont une famille des transistors MOSFET planaires de 1200V M3S sic. Le NTH4L022N120M3S est optimisé pour des applications de rapide-commutation. La technologie planaire fonctionne sûrement avec les commandes négatives de tension de porte et arrête des transitoires sur la porte. Ces transistors MOSFET comportent la représentation optima une fois conduits avec une commande mais également le travail de la porte 18V bien avec une commande de la porte 15V.

Caractéristiques
Type. Le RDS (dessus) = 22 m @ VGS = 18 V
Basses pertes de changement (type. ÉON 490 J à 40 A, 800 V)
L'avalanche 100% a examiné
Ce dispositif est libre et RoHS haloïdes conforme avec l'exemption 7a,
Pb−Free 2LI (sur la deuxième interconnexion de niveau)

Applications typiques
Inverseurs solaires
Stations de charge de véhicule électrique
UPS (alimentations d'énergie non interruptible)
Systèmes de stockage de l'énergie
SMPS (alimentations d'énergie de mode de commutateur)