Circuit intégré IC d'acquisitions : Microcontrôleurs, Ethernet, mémoire, capteurs, transistors
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Réutilisation de l'arrêt de champ de fossé des transistors FGHL40T65MQDT IGBT 650V 60A 23 W par le trou TO-247-3
Description de produit de FGHL40T65MQDT
Technologie de la vitesse IGBT de 4ème génération d'arrêt de champ de FGHL40T65MQDT mi copacked avec la pleine diode actuelle évaluée.
Attributs de produit de FGHL40T65MQDT
Numéro de la pièce
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FGHL40T65MQDT
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Puissance - maximum
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238 W
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Énergie de changement
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880µJ (dessus), 490µJ ()
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Type d'entrée
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Norme
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Charge de porte
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80 OR
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Le TD ("Marche/Arrêt") @ 25°C
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18ns/75ns
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Condition d'essai
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400V, 40A, 6Ohm, 15V
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Temps de rétablissement inverse (trr)
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86 NS
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Température de fonctionnement
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-55°C | 175°C (TJ)
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Montage du type
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Par le trou
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Paquet/cas
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TO-247-3
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Caractéristiques de FGHL40T65MQDT
Applications de FGHL40T65MQDT
Personne à contacter: Mr. Sales Manager
Téléphone: 86-13410018555
Télécopieur: 86-0755-83957753