Transistor MOSFET de mode d'amélioration de N-canal de la puce DMT47M2SFVWQ 40V 150°C de circuit intégré d'acquisitions
Description de produit de DMT47M2SFVWQ
Le transistor MOSFET de N-canal de DMT47M2SFVWQ est un transistor MOSFET de mode de l'amélioration 40V avec l'excellent produit du × le RDS de QG (DESSUS) (FOM) et le bas le RDS (DESSUS). Le bas RDS (DESSUS) s'assure que les pertes de sur-état sont minimales. Ce transistor MOSFET assure fiable et l'application robuste de fin due à 100% unclamped la commutation et l'essai inductifs dans la production.
Le transistor MOSFET de DMT47M2SFVWQ est conçu pour répondre aux exigences rigoureuses des applications des véhicules à moteur.
Spécifications de DMT47M2SFVWQ
Numéro de la pièce : | DMT47M2SFVWQ |
7,5 mOhms | |
- 20 V, + 20 V | |
4 V | |
OR 12,1 | |
- 55 C | |
+ 150 C | |
2,67 W |
Caractéristiques de DMT47M2SFVWQ
Applications de DMT47M2SFVWQ
Type d'achat
Nous achetons une large série de modules utilisés dans les divers domaines, y compris notamment 5G, nouvelle énergie, l'Internet des choses, Internet des véhicules, dispositifs automobile-standard, stations de base, communications, intelligence artificielle, radiofréquence, appareils ménagers, thyristors, service médical, industrie, Bluetooth 5,0, Ethernet, capteurs, les modules optiques, DC/DC, Wi-Fi, LPWA, GNSS, et IGBT.
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