Le blog de l'entreprise Modules des acquisitions IGBT, transistors, modules de communication sans fil, dispositifs Automobile-standard

Modules des acquisitions IGBT, transistors, modules de communication sans fil, dispositifs Automobile-standard

L'électronique Cie., Ltd de Shenzhen Mingjiada est un recycleur de renommée mondiale de composant électronique, qui a eu un engagement à long terme dans des services verticaux en profondeur, tels qu'acheter l'inventaire personnel, l'inventaire d'usine, et la saisie de douane avec l'argent liquide aux prix élevés, à l'expédition, aux agences de ventes, et aux liquidations. Comptant sur la force économique profonde et la réputation méritée d'affaires, Mingjiada a rapidement gagné la confiance de beaucoup de clients d'usine autour du monde et a établi des relations coopératives à long terme. Nous accroissons nos qualifications professionnelles et expérience abondante et traitons des personnes avec l'intégrité. Par l'exploration et le développement persistants, Mingjiada a établi une équipe pointue d'évaluation qui peut rapidement digérer l'inventaire, pour réduire le stockage, et récupère des fonds pour des clients. Nous traitons encaissons d'une façon flexible et commode aux prix raisonnables et sommes commis à satisfaire aux besoins des clients en fournissant des services sur un seul point de vente.

Nous achetons une large série de modules utilisés dans les divers domaines, y compris notamment 5G, nouvelle énergie, l'Internet des choses, Internet des véhicules, dispositifs automobile-standard, stations de base, communications, intelligence artificielle, radiofréquence, appareils ménagers, thyristors, service médical, industrie, BT 5,0, Ethernet, capteurs, les modules optiques, DC/DC, Wi-Fi, LPWA, GNSS, et IGBT.

Transistors simples du N-canal 1200V 79A des modules MSCSM120SKM31CTBL1NG des acquisitions IGBT

Description de produit
Le dispositif de MSCSM120SKM31CTBL1NG est des 1200 V, module d'alimentation de transistor MOSFET de carbure de silicium de couperet de mâle de 79 A (sic).

Caractéristiques
Sic transistor MOSFET de puissance
Le bas RDS (dessus)
Commutation à grande vitesse