Le blog de l'entreprise Acquisition IMBG120R140M1H Transistors MOSFET à tranchée SiC 1200 V

Acquisition IMBG120R140M1H Transistors MOSFET à tranchée SiC 1200 V

La description

Le MOSFET SiC IMBG120R140M1H 1200 V, 140 mΩ dans un boîtier D2PAK-7L (TO-263-7) s'appuie sur un processus de semi-conducteur à tranchée de pointe optimisé pour combiner performances et fiabilité de fonctionnement.Les faibles pertes de puissance de la technologie CoolSiC, associées à la technologie d'interconnexion .XT dans un nouveau boîtier SMD optimisé 1200 V, permettent une efficacité maximale et un potentiel de refroidissement passif dans des applications telles que les variateurs, les chargeurs et les alimentations industrielles.

Avantages
Amélioration de l'efficacité
Activer une fréquence plus élevée
Densité de puissance accrue
Réduction de l'effort de refroidissement
Réduction de la complexité et des coûts du système
Le boîtier SMD permet une intégration directe dans le circuit imprimé, avec un refroidissement par convection naturelle sans dissipateur thermique supplémentaire

Processus de recyclage spécifique
1. Vous pouvez simplement classer vos stocks de circuits intégrés/modules et identifier le modèle, la marque, la date de production, la quantité, etc.
2. Veuillez envoyer votre liste d'inventaire à notre équipe d'évaluation par fax ou par e-mail.
3. Lorsque vous recevez l'offre d'achat de l'un de nos professionnels, nous pouvons négocier le mode de transaction et la livraison spécifiques et parvenir à un accord.
4. Nous recyclons uniquement à partir de canaux réguliers, tels que des agents, des commerçants et des usines, et n'acceptons pas de sources irrégulières.