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WNSCM160120W Circuit intégré Puce MOSFET à transistors en carbure de silicium à canal N TO247-3

Puce de circuit intégré
June 18, 2025
Catégorie Connexion: Puce de circuit intégré
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Présentation du transistor MOSFET en carbure de silicium à canal N WNSCM160120W ! Conçu pour les applications à haute fréquence et à haut rendement, il présente une faible résistance à l'état passant, une vitesse de commutation rapide et une tension de grille de coupure de 0 V simple. Conforme à la directive RoHS et facile à mettre en parallèle, il est parfait pour les alimentations à découpage, les chargeurs de VE, et plus encore. Explorez notre gamme de composants électroniques dès aujourd'hui ! Bienvenue sur notre site web !
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#Puce 24-PQFN de circuit intégré #Linéaire à canal double de TUSB1002ARGER #Puces intégrées QFN24
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