STGW80H65DFB Circuit intégré puce de tranchée de porte de champ-arrêt à grande vitesse Transistors IGBT de la série HB

Puce de circuit intégré
May 29, 2025
Catégorie Connexion: Puce de circuit intégré
Je vous présente la puce de circuit intégré STGW80H65DFB, un transistor IGBT de haute vitesse de la série HB, avec une tension de rupture collecteur-émetteur de 650V et un courant maximum de 120A,il assure une efficacité optimale avec de faibles pertes de conduction et de commutation. Ce composant conforme à RoHS est idéal pour les onduleurs photovoltaïques et les convertisseurs à haute fréquence. Élevez vos projets avec une technologie de pointe! Bienvenue à visiter notre site Web!

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