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Paquet simple du transistor MOSFET 650V 20A 75W TO-247-4 de FET des transistors IMZA65R048M1H

Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
Examens de client
A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

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Paquet simple du transistor MOSFET 650V 20A 75W TO-247-4 de FET des transistors IMZA65R048M1H

Paquet simple du transistor MOSFET 650V 20A 75W TO-247-4 de FET des transistors IMZA65R048M1H
Paquet simple du transistor MOSFET 650V 20A 75W TO-247-4 de FET des transistors IMZA65R048M1H Paquet simple du transistor MOSFET 650V 20A 75W TO-247-4 de FET des transistors IMZA65R048M1H

Image Grand :  Paquet simple du transistor MOSFET 650V 20A 75W TO-247-4 de FET des transistors IMZA65R048M1H

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: NC
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: IMZA65R048M1H
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: TO-247-4
Délai de livraison: 5-8 jours de travail
Conditions de paiement: T/T, L/C, Western Union

Paquet simple du transistor MOSFET 650V 20A 75W TO-247-4 de FET des transistors IMZA65R048M1H

Définition
Numéro de la pièce: IMZA65R048M1H VGS: -5 - 23 V
courant de fuite de Porte-source: Na 100 Courant zéro de drain de tension de porte: µA 150
Résistance de porte: Ω 6,0 Vidange ouverte: 1MHz

Paquet simple du transistor MOSFET 650V 20A 75W TO-247-4 de FET des transistors IMZA65R048M1H

 

Description de produit d'IMZA65R048M1H

IMZA65R048M1H est des transistors de Haut-Électron-mobilité (HEMTs) offre la mise en fonction rapide et les vitesses d'arrêt aux pertes de changement minimum.

 

Spécifications d'IMZA65R048M1H

Numéro de la pièce :

IMZA65R048M1H

La température de jonction virtuelle :

-55- °C 175

Tension de Drain-source :

1200 V

Montage du couple :

0,6 nanomètres

Tension en avant de diode de corps :

5,2 V

Courant zéro de drain de tension de porte :

µA 165


Caractéristiques d'IMZA65R048M1H

  • Transistor de mode d'amélioration, normalement OUTRE de commutateur

  • HEMT de GaN en paquet sans plomb du petit facteur de forme SMD

  • qualification GaN-travaillée

  • Commutation ultra-rapide

 

D'autres types de produit d'approvisionnement

Numéro de la pièce

Paquet

SPC5606BK0VLL6

LQFP100

SPC5668GF1AVMG

BGA208

SPC5603BK0VLH4

QFP64

SPC5643AF0MVZ2

BGA

SPC5643AF0MLU2

LQFP176

MSC040SMA120

TO-247

 

FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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