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Sic puce de circuit intégré des transistors de puissance de fossé IMZA65R027M1H TO-247-4

Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
Examens de client
A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

Service professionnel et rapide, prix acceptables des marchandises. excellente communication, produit comme prévu. Je recommande fortement ce fournisseur.

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Haute qualité et performances fiables: "Les composants électroniques que nous avons reçus de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sont de haute qualité et ont montré des performances fiables dans nos appareils".

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Sic puce de circuit intégré des transistors de puissance de fossé IMZA65R027M1H TO-247-4

Sic puce de circuit intégré des transistors de puissance de fossé IMZA65R027M1H TO-247-4
Sic puce de circuit intégré des transistors de puissance de fossé IMZA65R027M1H TO-247-4 Sic puce de circuit intégré des transistors de puissance de fossé IMZA65R027M1H TO-247-4

Image Grand :  Sic puce de circuit intégré des transistors de puissance de fossé IMZA65R027M1H TO-247-4

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: CN
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: IMZA65R027M1H
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: TO-247-4
Délai de livraison: 5-8 jours de travail
Conditions de paiement: T/T, L/C, Western Union

Sic puce de circuit intégré des transistors de puissance de fossé IMZA65R027M1H TO-247-4

Définition
Numéro de la pièce: IMZA65R027M1H Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds: 2131 PF @ 400 V
Série: CoolSiC™ Technologie: SiCFET (carbure de silicium)
Vgs (maximum): +23V, -5V Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 18v

Sic puce de circuit intégré des transistors de puissance de fossé IMZA65R027M1H TO-247-4

 

Description de produit d'IMZA65R027M1H

IMW65R030M1H est dispositif de puissance de fossé de 650V CoolSiC M1 sic, il est construit au-dessus de la technologie solide de carbure de silicium.

 

Spécifications d'IMZA65R027M1H

Numéro de la pièce IMZA65R027M1H
Dissipation de puissance (maximum)
189W (comité technique)
Température de fonctionnement
-55°C | 150°C (TJ)
Montage du type
Par le trou
Paquet de dispositif de fournisseur
PG-TO247-4-3
Paquet/cas
TO-247-4

 

Caractéristiques d'IMZA65R027M1H

  • Facilité d'utilisation et intégration
  • Approprié aux topologies avec la commutation dure continue
  • Une robustesse et une fiabilité du système plus élevées

 

D'autres composants électroniques en stock

Numéro de la pièce Paquet
XC7A100T-1FG484I 484-BBGA
XC7A100T-2FG484I FCBGA-484
XC7A100T-1CSG324I BGA324
XC7A100T-1FGG676I FBGA676
XC7A100T-2FGG676C BGA676
XC7A100T-3FGG484E BGA484


FAQ

Q : Vos produits sont-ils originaux ?
: Oui, tous les produits sont importation originale originale et nouvelle est notre but.
Q : Quels certificats avez-vous ?
: Nous sommes compagnie d'OIN et membre certifiés par 9001:2015 d'ERAI.
Q : Pouvez-vous soutenir l'ordre ou l'échantillon de petite quantité ? L'échantillon est-il libre ?
: Oui, nous soutenons l'ordre d'échantillon et la commande. Le coût d'échantillon est différent selon votre ordre ou projet.
Q : Comment embarquer mon ordre ? Est-ce sûr ?
: Nous employons exprès pour embarquer, comme DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We pouvons également employer votre expéditeur suggéré. Les produits seront dans le bien emballant et assurer la sécurité et nous soyez responsable aux dommages de produit à votre ordre.
Q : Que diriez-vous du délai d'exécution ?
: Nous pouvons embarquer les parties courantes dans un délai de 5 jours ouvrables. Si sans actions, nous confirmerons le délai d'exécution pour vous avons basé sur votre quantité d'ordre.

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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